检测项目

1.薄膜厚度均匀性：氧化层厚度、氮化硅层厚度、金属层厚度、介质层厚度、光刻胶厚度。

2.薄膜应力均匀性： intrinsic应力、热应力、薄膜应力梯度。

3.掺杂浓度均匀性：离子注入浓度、扩散层浓度、阱区掺杂浓度。

4.电阻与方块电阻均匀性：多晶硅电阻、扩散区电阻、金属互联线电阻、接触孔电阻。

5.临界尺寸均匀性：栅极线条宽度、接触孔直径、金属线宽与线距、隔离槽宽度。

6.套刻精度均匀性：多层图形对准偏差、关键层套刻误差。

7.表面形貌均匀性：表面粗糙度、台阶覆盖率、研磨后厚度均匀性、图形侧壁角度。

8.电学参数均匀性：阈值电压、饱和电流、关态电流、击穿电压、电容值。

9.成分与结构均匀性：薄膜元素组成、晶相结构、界面状态、缺陷密度分布。

10.刻蚀与研磨均匀性：刻蚀速率、刻蚀选择比、研磨速率、研磨后碟形化。

11.光学特性均匀性：折射率、消光系数、薄膜反射率。

12.可靠性相关均匀性：电迁移失效分布、经时介质击穿寿命分布、热载流子效应。

13.封装互连均匀性：凸点高度、焊球共面性、键合线拉力、填充胶厚度。

检测范围

硅抛光片、外延片、氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、低介电常数介质薄膜、金属铜薄膜、铝薄膜、钛薄膜、氮化钛薄膜、光刻胶涂层、化学机械研磨后晶圆、离子注入后晶圆、刻蚀后图形化晶圆、单片集成电路芯片、多芯片封装模块、三维集成硅通孔晶圆、微机电系统器件、功率器件晶圆

检测设备

1.光谱椭偏仪：用于无损测量纳米至微米级薄膜的厚度与光学常数；通过多点扫描分析膜厚在全晶圆范围内的分布均匀性。

2.四探针电阻测试仪：用于测量半导体薄膜或扩散层的方块电阻；通过自动化晶圆映射功能评估电阻值的面内均匀性。

3.原子力显微镜：用于高分辨率表征表面三维形貌与粗糙度；可定量分析表面起伏、线宽、侧壁角度等参数的空间分布。

4.扫描电子显微镜：用于观测微观图形的形貌与尺寸；配备能谱仪可进行微区成分分析，评估成分分布均匀性。

5.光学临界尺寸测量仪：基于散射测量原理快速、无损地测量亚微米图形结构的临界尺寸与形状；用于监控图形化工艺的均匀性。

6.薄膜应力测量仪：通过测量晶圆曲率变化来计算薄膜应力；用于监控沉积或热处理工艺引起的应力分布均匀性。

7.二次离子质谱仪：用于深度剖析薄膜中的元素成分及其浓度分布；可极高灵敏度地检测掺杂元素或杂质的纵向与横向分布均匀性。

8.晶圆级电参数测试系统：集成探针台与参数分析仪，对晶圆上的测试结构进行自动化电学测试；大规模采集阈值电压、漏电流等参数以评估电性能均匀性。

9.X射线衍射仪：用于分析薄膜的结晶质量、晶格常数、晶粒取向及应力状态；评估晶体结构在晶圆上的均匀性。

10.共聚焦显微镜：用于非接触式测量表面高度与形貌；特别适用于测量图形台阶高度、研磨后厚度及封装凸点共面性的均匀性。