检测项目

1.电阻特性：体电阻率，表面电阻率，温度电阻系数。

2.介电性能：介电常数，介质损耗，频率响应。

3.击穿行为：击穿电压，击穿场强，击穿模式。

4.漏电表现：漏电流，稳态漏电，瞬态漏电。

5.导电均匀性：导电分布，局部电阻偏差，电流密度分布。

6.脆性敏感性：电致裂纹起始，裂纹扩展阈值，断裂电场。

7.热电耦合：热载流子效应，电热稳定性，热击穿风险。

8.界面电学：界面电阻，界面极化，接触电势差。

9.缺陷影响：缺陷电导，陷阱密度，局部击穿倾向。

10.疲劳行为：电场循环损伤，电学参数漂移，寿命退化。

11.应力耦合：应力电阻变化，应力诱发漏电，应力致裂风险。

12.环境适应：湿度影响，气氛影响，温度漂移。

检测范围

碳化硅单晶片、碳化硅多晶片、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、碳化硅肖特基结构、碳化硅栅结构、碳化硅基板、碳化硅薄膜、碳化硅涂层、碳化硅陶瓷片、碳化硅热沉片、碳化硅复合衬底

检测设备

1.高阻计：测定体电阻率与表面电阻率，适配高阻材料。

2.介电谱测试仪：获取介电常数与介质损耗的频率特性。

3.高压击穿测试装置：评估击穿电压与击穿场强参数。

4.电流电压测试系统：获取漏电流与导电曲线的稳定数据。

5.电阻温度测试台：测量温度变化下的电阻特性与漂移。

6.电场加载平台：实现受控电场加载与响应监测。

7.热电耦合测试装置：评估电热影响下的稳定性与失效征兆。

8.表面电势测试仪：分析表面电势差与局部极化特征。

9.微区电学测试系统：获取局部导电差异与缺陷影响。

10.循环应力电学测试台：评估电场循环条件下的疲劳与退化表现。