反向电流过载试验

检测项目

1. 反向击穿电压VBR(≥100V)

2. 反向漏电流IR(≤10μA)

3. 过载电流(1~100A)

4. 浪涌耐受I²t(10~1000A²s)

5. 恢复时间trr(≤10μs)

检测范围

1. 整流二极管：1N5408系列

2. 快恢复二极管：FR107

3. 晶闸管：KP200A

4. 功率MOSFET：IRF840

5. TVS二极管：SMBJ系列

检测方法

1. GB/T 15292-2013 晶闸管测试方法反向特性

2. GB/T 4023-2015 半导体器件分立器件整流二极管

3. GB/T 6571-2017 半导体器件反向二极管

4. JEDEC JESD24-3 功率MOSFET雪崩击穿测试

5. MIL-STD-750-4 Method 4081 反向电压

检测设备

1. Tektronix 371A(400V/20A)：晶体管图示仪

2. Keysight B1505A(10kV/1500A)：功率器件分析仪

3. AMETEK PVS30005(1000V/5A)：可编程电源

4. Tektronix MSO64(6GHz)：混合信号示波器

5. TDK-Lambda Genesys(600V/10A)：直流电源

6. Tektronix P6015A(40kV)：高压探头

7. Chroma 19032(30A)：浪涌测试仪

8. Tektronix TCP0030(30A)：电流探头

以上是与"反向电流过载试验"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检检测技术研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。