检测项目
1. 反向击穿电压VBR(≥100V)
2. 反向漏电流IR(≤10μA)
3. 过载电流(1~100A)
4. 浪涌耐受I²t(10~1000A²s)
5. 恢复时间trr(≤10μs)
检测范围
1. 整流二极管：1N5408系列
2. 快恢复二极管：FR107
3. 晶闸管：KP200A
4. 功率MOSFET：IRF840
5. TVS二极管：SMBJ系列
检测方法
1. GB/T 15292-2013 晶闸管测试方法反向特性
2. GB/T 4023-2015 半导体器件分立器件整流二极管
3. GB/T 6571-2017 半导体器件反向二极管
4. JEDEC JESD24-3 功率MOSFET雪崩击穿测试
5. MIL-STD-750-4 Method 4081 反向电压
检测设备
1. Tektronix 371A(400V/20A)：晶体管图示仪
2. Keysight B1505A(10kV/1500A)：功率器件分析仪
3. AMETEK PVS30005(1000V/5A)：可编程电源
4. Tektronix MSO64(6GHz)：混合信号示波器
5. TDK-Lambda Genesys(600V/10A)：直流电源
6. Tektronix P6015A(40kV)：高压探头
7. Chroma 19032(30A)：浪涌测试仪
8. Tektronix TCP0030(30A)：电流探头