检测项目

1. 超痕量杂质元素定量(检测限0.1 ppb~10 ppm)

2. 高纯金属纯度分析(纯度≥99.9999%)

3. 半导体材料元素分布(深度分辨率1~10 nm)

4. 合金成分深度剖析(溅射速率0.1~5 μm/min)

5. 同位素比值测定(精度RSD≤2%)

检测范围

1. 高纯金属：铜(6N~8N)、铝(5N~7N)、锌(5N~6N)

2. 半导体材料：硅片(99.9999%)、锗(99.9999%)

3. 高温合金：镍基、钴基合金粉末

4. 贵金属：金(99.99%)、铂(99.95%)、钯(99.95%)

5. 靶材：ITO靶、钛靶、铝靶

检测方法

1. GB/T 33354-2016 高纯铜化学分析方法 辉光放电质谱法

2. ISO 16962:2017 表面化学分析 辉光放电质谱分析锌及锌合金中主要和微量元素

3. ASTM F1593-21 半导体材料中辉光放电质谱分析方法

4. GB/T 39142-2020 高纯钛化学分析方法 辉光放电质谱法

5. JIS H 8432:2018 高纯铝中痕量元素的辉光放电质谱分析方法

检测设备

1. 辉光放电质谱仪(Thermo Fisher Element GD)：质量范围2~260 u，分辨率4000

2. 辉光放电质谱仪(NU Atomika 8000)：检测限0.1 ppb，质量精度0.01 u

3. 双聚焦扇形磁质谱仪(Thermo Scientific GDMS)：质量分辨率10000，动态范围10^12

4. 辉光放电光源(SIBS-300)：放电压500~1500 V，电流5~50 mA

5. 高真空系统(Pfeiffer HiCube 80)：极限真空5×10^-8 mbar

6. 倍增器检测器(ETP DM291)：增益10^6，暗计数≤0.1 cps

7. 法拉第杯检测器(FB-10)：动态范围10^9，精度±0.1%

8. 标准物质校准系统(CRM-1000)：校准范围0.1 ppb~100 ppm