检测项目
1. 相对介电常数εr(1.0~15.0)
2. 介质损耗角正切tanδ(1×10⁻⁴~1×10⁻²)
3. 击穿场强(10~500kV/mm)
4. 介电频率特性(1kHz~10MHz)
5. 介电温谱(-55~250℃)
检测范围
1. 硅单晶片：直径φ100~300mm
2. 砷化镓GaAs晶片：半绝缘型
3. 碳化硅SiC晶片：功率器件用
4. 氮化镓GaN外延片：高频器件
5. SOI绝缘体上硅：薄膜型
检测方法
1. GB/T 1409-2006 测量电气绝缘材料在工频、音频、高频下介电常数的推荐方法
2. ASTM D150-2024 交流损耗特性和介电常数的试验方法
3. GB/T 1693-2007 硫化橡胶 介电常数和介质损耗角正切值的测定方法
4. IEC 60250:1969 测量电气绝缘材料在工频、音频和射频下介电性能的推荐方法
5. GB/T 5593-2015 电子元器件结构陶瓷材料
检测设备
1. 阻抗分析仪(安捷伦4294A)：频率40Hz~110MHz
2. LCR测试仪(同惠TH2839)：频率20Hz~1MHz
3. 介电常数测试仪(北京中航时代BGD-1k~1MHz)
4. 高阻计(吉时利6517B)：测量上限10¹⁸Ω
5. 高低温试验箱(爱斯佩克SU-262)：-80~300℃
6. 耐压测试仪(华仪7405)：输出0~15kV
7. 探针台(台北精材PA200)：探针间距可调
8. 样品制备台(抛光/镀电极)