芯片粒度分布检测

芯片制造中的粉体材料粒度分布直接影响光刻胶涂布、浆料印刷、晶圆抛光等工艺质量。粒度分布检测通过测量芯片制程中各类粉体材料的粒径大小和分布特征,评估材料的一致性、分散性和适用性。该检测对于CMP抛光液、导电银浆、光刻胶添加剂等关键材料的质量控制具有重要价值。

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检测项目

1. 粒度分布参数:平均粒径D50(0.01-100μm)、特征粒径D10/D90、粒径分布宽度Span值(≤1.5)。

2. 颗粒计数:单位体积颗粒数(10⁴-10⁸个/mL)、大颗粒含量(>10μm颗粒≤100个/mL)。

3. 粉体特性:比表面积(0.1-100m²/g)、颗粒形态球形度(≥0.9)、团聚指数。

4. 浓度测定:固含量(1%-80%)、分散稳定性、沉降速率。

5. 粒径均匀性:分布曲线特征、多分散性指数PDI(≤0.2)。

检测范围

1. CMP抛光材料:硅溶胶抛光液(粒径20-100nm)、氧化铈抛光粉、氧化铝磨料。

2. 导电浆料:银粉浆料(粒径0.5-5μm)、铜粉浆料、导电碳浆。

3. 光刻材料:光刻胶添加剂、抗反射涂层颗粒、显影液颗粒。

4. 封装材料:环氧模塑料填料(粒径1-50μm)、硅微粉、球形硅粉。

5. 其他粉体:焊粉(粒径20-45μm)、陶瓷填料、导热填料。

检测方法

1. GB/T 19077-2016 粒度分析 激光衍射法。

2. GB/T 19627-2005 粒度分析 光子相关光谱法。

3. ISO 13320:2009 粒度分析 激光衍射法。

4. SEMI M52-0309 用动态光散射法测量纳米颗粒尺寸分布。

5. GB/T 29022-2012 粒度分析 动态图像分析法。

检测设备

1. 激光衍射粒度仪(Malvern Mastersizer 3000):测量范围0.01-3500μm,精度±1%。

2. 动态光散射粒度仪(Malvern Zetasizer Nano ZS):测量范围0.3nm-10μm,温度范围0-90℃。

3. 纳米粒度分析仪(Beckman Delsa Nano C):粒径范围0.5nm-50μm,Zeta电位测量。

4. 库尔特计数器(Beckman Multisizer 4e):粒径范围0.4-1600μm,计数精度±3%。

5. 图像分析仪(Microtrac S3500):测量范围0.5-2000μm,相机分辨率5MP。

6. 超声波分散器(Branson 5800):频率40kHz,功率500W。

7. 离心沉降粒度仪(CPS Instruments DC24000):粒径范围0.01-40μm,转速24000rpm。

8. 比表面积分析仪(Micromeritics TriStar II 3020):测量范围≥0.01m²/g。

北检(北京)检测技术研究院【简称:北检院】

  • 报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
  • 检测周期:7~15工作日,可加急。
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