检测项目
1. 高温寿命试验(125℃，1000h)
2. 温度循环(-65~+150℃，100次)
3. 机械冲击(1500g，0.5ms)
4. 密封性检漏(细检漏R₁≤5×10⁻⁸Pa·m³/s)
5. 静电放电敏感度(HBM，≥2000V)
检测范围
1. 军用集成电路：54系列TTL
2. 军用单片机：MIL-STD-883等级
3. 军用二极管：JAN级别
4. 军用光耦器件：883级
5. 军用继电器：宇航级
检测方法
1. GJB 548B-2024 微电子器件试验方法和程序
2. MIL-STD-883K:2022 微电路试验方法标准
3. GJB 128A-2024 半导体分立器件试验方法
4. GJB 360B-2024 电子及电气元件试验方法
5. GJB 597B-2024 半导体集成电路总规范
检测设备
1. 高低温试验箱(ESpec T-240)：-70~+180℃
2. 温度冲击箱(ESpec TSA-71)：转换时间≤10s
3. 机械冲击台(Lansmont 23-400)：半正弦波
4. 氦质谱检漏仪(Pfeiffer ASM 340)：灵敏度5×10⁻¹²
5. 静电发生器(Noiseken ESS-2000)：HBM/CDM模式
6. 振动试验系统(Lansmont V9：随机振动)5~2000Hz
7. 老化测试系统(Eleaon AS-1000)：多通道并行
8. 恒定加速度离心机(30000g)：离心试验
9. X射线检测仪(Nikon XT V160)：分辨率1μm
10. 晶体管图示仪(科汇KH-2602)：1000V/10A