EELS测试

EELS测试即电子能量损失谱分析测试,利用透射电子显微镜中非弹性散射电子的能量损失信息,对纳米材料的元素组成、化学键合及电子结构进行高空间分辨率分析,空间分辨率可达亚纳米级别,广泛应用于二维材料和半导体缺陷分析。

原创阅读 252026-05-09工程师CMACNASISO高新技术企业

检测项目

1. 元素定性定量分析(原子序数3~92,检测限0.1~1 at%)

2. 化学键合态分析(能量分辨率0.1~0.3 eV)

3. 带隙结构测量(精度±0.1 eV)

4. 等离子体激元能量损失(分辨率0.05 eV)

5. 界面元素分布(空间分辨率0.2~1 nm)

检测范围

1. 二维材料:石墨烯、MoS2、h-BN薄膜

2. 半导体器件:Si/SiGe异质结、GaN/AlGaN界面

3. 纳米颗粒:金属催化剂(0.5~50 nm)

4. 薄膜材料:氧化物涂层(厚度10~200 nm)

5. 电池材料:正极材料单颗粒(Li、Co、Ni元素分布)

检测方法

1. GB/T 36326-2018 透射电子显微镜分析方法通则

2. ISO 13084:2018 表面化学分析 辉光放电质谱分析用校准方法

3. ASTM E2857-21 电子能量损失谱数据的采集和报告指南

4. ISO 21466:2019 微束分析 透射电子显微镜中电子能量损失谱分析方法

5. GB/T 38288-2019 纳米技术 纳米材料的透射电子显微镜/能谱分析方法

检测设备

1. 场发射透射电子显微镜(FEI Titan Themis 300):加速电压80~300 kV,TEM点分辨率0.08 nm

2. 电子能量损失谱仪(Gatan GIF Quantum ER965):能量分辨率0.05 eV,色散0.005~2 eV/channel

3. 单色器系统(FEI X-FEG monochromator):能量展宽≤0.1 eV@200 kV

4. CCD相机(Gatan OneView IS):像素数4096×4096,读出速度40 fps

5. 直接电子探测器(Gatan K2 Summit):DQE 0.8@0.5 Nyquist,帧率40 fps

6. 球差校正器(CEOS CETCOR):校正后分辨率≤0.08 nm@200 kV

7. 离子减薄仪(Gatan 695 PIPS):离子能量0.1~6 keV,角度±10°

8. 超薄切片机(Leica EM UC7):切片厚度10~100 nm精度±5 nm

北检(北京)检测技术研究院【简称:北检院】

  • 报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
  • 检测周期:7~15工作日,可加急。
  • 资质:旗下实验室拥有CMA/CNAS/ISO资质。
  • 标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
  • 非标测试:支持定制化试验方案。
  • 售后:报告终身可查,工程师1v1服务。

QUALIFICATIONS

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