


1. 元素定性定量分析(原子序数3~92,检测限0.1~1 at%)
2. 化学键合态分析(能量分辨率0.1~0.3 eV)
3. 带隙结构测量(精度±0.1 eV)
4. 等离子体激元能量损失(分辨率0.05 eV)
5. 界面元素分布(空间分辨率0.2~1 nm)
1. 二维材料:石墨烯、MoS2、h-BN薄膜
2. 半导体器件:Si/SiGe异质结、GaN/AlGaN界面
3. 纳米颗粒:金属催化剂(0.5~50 nm)
4. 薄膜材料:氧化物涂层(厚度10~200 nm)
5. 电池材料:正极材料单颗粒(Li、Co、Ni元素分布)
1. GB/T 36326-2018 透射电子显微镜分析方法通则
2. ISO 13084:2018 表面化学分析 辉光放电质谱分析用校准方法
3. ASTM E2857-21 电子能量损失谱数据的采集和报告指南
4. ISO 21466:2019 微束分析 透射电子显微镜中电子能量损失谱分析方法
5. GB/T 38288-2019 纳米技术 纳米材料的透射电子显微镜/能谱分析方法
1. 场发射透射电子显微镜(FEI Titan Themis 300):加速电压80~300 kV,TEM点分辨率0.08 nm
2. 电子能量损失谱仪(Gatan GIF Quantum ER965):能量分辨率0.05 eV,色散0.005~2 eV/channel
3. 单色器系统(FEI X-FEG monochromator):能量展宽≤0.1 eV@200 kV
4. CCD相机(Gatan OneView IS):像素数4096×4096,读出速度40 fps
5. 直接电子探测器(Gatan K2 Summit):DQE 0.8@0.5 Nyquist,帧率40 fps
6. 球差校正器(CEOS CETCOR):校正后分辨率≤0.08 nm@200 kV
7. 离子减薄仪(Gatan 695 PIPS):离子能量0.1~6 keV,角度±10°
8. 超薄切片机(Leica EM UC7):切片厚度10~100 nm精度±5 nm
以上是与"EELS测试"相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检检测技术研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。
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