半导体器件蠕变性能测试

检测项目

1. 稳态蠕变速率(典型范围1E-8~1E-4/s)

2. 蠕变断裂时间(100~10000h)

3. 应力指数n(值域3~8)

4. 蠕变激活能Q(0.5~2.0eV)

5. 焊点蠕变应变(限值≤5%)

6. 高温存储蠕变变形量(限值≤50μm)

检测范围

1. 芯片级微焊点互连：SnAgCu焊料，焊点直径50~300μm

2. 功率MOSFET器件：工作结温-55~175℃

3. 倒装芯片封装器件：凸点间距100~200μm

4. IGBT功率模块：DCB基板，工作温度-40~150℃

5. 存储器BGA封装：锡球直径0.3~0.75mm

检测方法

1. GB/T 4937.11-2022 半导体器件机械和气候试验第11部分：稳态工作寿命试验(高温老炼)

2. JEDEC JESD22-A110C:2015 高加速温度和湿度应力试验

3. IPC-TM-650 2.6.13 焊点蠕变性能测试方法

4. ASTM E139-2011 材料蠕变、蠕变断裂和应力断裂试验方法

5. GB/T 2039-2012 金属材料单轴拉伸蠕变试验方法

检测设备

1. 高温蠕变试验机(RD-50)：载荷0~50kN，温度RT~800℃，精度±1%

2. 纳米压痕仪(Hysitron TI-980)：载荷0~10mN，位移分辨率0.1nm

3. 高低温交变试验箱(Espec PL-3K)：温度-70~180℃，温变速率5℃/min

4. 动态信号分析仪(Agilent 35670A)：频率范围0~102.4kHz

5. 焊点剪切力测试仪(Dage 4000Plus)：剪切力0~200N，速度100~500μm/s

6. 金相显微镜(Leica DM2700M)：放大50~1000倍，带高温加热台

7. 热膨胀仪(NETZSCH DIL 402C)：温度RT~1600℃，分辨率1nm

8. 恒温恒流试验源(Keithley 2602B)：电流范围0~3A，电压0~40V

9. X射线检测系统(Y.Cheon Cheetah)：分辨率1μm，电压160kV

以上是与"半导体器件蠕变性能测试"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检检测技术研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。