检测项目

1. 蚀坑密度(≤10个/cm²)

2. 最大蚀坑深度(≤0.5μm)

3. 点蚀覆盖率(≤0.1%)

4. 电迁移离子迁移长度(≤5μm)

5. 腐蚀电位偏移(ΔE≤50mV)

检测范围

1. 集成电路铝互连线：0.13-28nm工艺节点

2. 铜互连芯片：CMOS 14nm-90nm

3. 功率MOSFET芯片：沟槽栅结构

4. MEMS芯片：梳齿驱动结构

5. 存储器芯片：DRAM、NAND Flash

检测方法

1. JESD22-A104F:2020 温度循环试验

2. GJB 548B-2005 方法1003 潮湿试验

3. JESD22-A110D:2017 高加速应力试验HAST

4. GB/T 3505-2009 表面粗糙度及缺陷评定

5. ASTM B117-2018 盐雾腐蚀试验方法

检测设备

1. 扫描电子显微镜(SEM SU3500)：放大15-300000倍，分辨率3nm

2. 原子力显微镜(AFM Dimension Icon)：XYZ分辨率0.1nm

3. 聚焦离子束(FIB Helios G4)：离子束分辨率0.5nm

4. HAST试验箱(EHS-241MD)：温度85-175℃，湿度85-100%RH

5. 温度循环试验箱(TSA-71S)：-65℃~180℃

6. 盐雾试验箱(YWX-150)：温度35-50℃，沉降量1-2ml/h

7. 电化学工作站(CHI-660E)：电位范围±10V

8. 干涉显微镜(Wyko NT9100)：垂直分辨率0.1nm

9. 等离子去胶机(PE-25)：功率25-300W