重掺半导体载流子浓度的红外反射测试

检测项目

1. 载流子浓度(1×10¹⁸~1×10²¹ cm⁻³)

2. 载流子迁移率(10~1500 cm²/V·s)

3. 等离子共振波长(2~20 μm)

4. 反射率极小值(≤30%)

5. 晶向偏差角(≤0.5°)

检测范围

1. 重掺磷硅片：n-Si 0.001~0.005 Ω·cm

2. 重掺硼硅片：p-Si 0.005~0.02 Ω·cm

3. 重掺锑硅片：n⁺-Si 0.002~0.01 Ω·cm

4. 掺砷砷化镓：n-GaAs 10¹⁷~10¹⁹ cm⁻³

5. 碳化硅晶片：4H-SiC 10¹⁶~10²⁰ cm⁻³

检测方法

1. GB/T 25415-2010 重掺硅载流子浓度红外反射测试方法

2. SEMI MF1389-1107 红外反射法测量硅载流子浓度

3. GB/T 1550-2018 非本征半导体材料导电类型测定

4. ASTM F118-2017 半导体材料电阻率测试

5. GB/T 6618-2009 硅片厚度总厚度变化测试方法

检测设备

1. 傅里叶红外光谱仪(Thermo Nicolet iS50)：7800~350 cm⁻¹

2. 红外显微镜(Thermo Continuμm)：100×100 μm光斑

3. 四探针测试仪(KLA RS75)：0.1 mΩ~10 MΩ

4. 霍尔效应系统(Lake Shore 8404)：0.05~10 T

5. X射线衍射仪(Bruker D8 Discover)：Cu Kα

6. 椭偏仪(J.A. Woollam M-2000)：190~1700 nm

7. 准直光源(Newport 66907)：石英卤素灯

8. MCT检测器(液氮制冷 D*~10¹⁰)

9. 参考反射附件(15°入射角)

10. 数据处理软件(OMNIC 9.8)

以上是与"重掺半导体载流子浓度的红外反射测试"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检检测技术研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。