检测项目
1. 载流子浓度(1×10¹⁸~1×10²¹ cm⁻³)
2. 载流子迁移率(10~1500 cm²/V·s)
3. 等离子共振波长(2~20 μm)
4. 反射率极小值(≤30%)
5. 晶向偏差角(≤0.5°)
检测范围
1. 重掺磷硅片：n-Si 0.001~0.005 Ω·cm
2. 重掺硼硅片：p-Si 0.005~0.02 Ω·cm
3. 重掺锑硅片：n⁺-Si 0.002~0.01 Ω·cm
4. 掺砷砷化镓：n-GaAs 10¹⁷~10¹⁹ cm⁻³
5. 碳化硅晶片：4H-SiC 10¹⁶~10²⁰ cm⁻³
检测方法
1. GB/T 25415-2010 重掺硅载流子浓度红外反射测试方法
2. SEMI MF1389-1107 红外反射法测量硅载流子浓度
3. GB/T 1550-2018 非本征半导体材料导电类型测定
4. ASTM F118-2017 半导体材料电阻率测试
5. GB/T 6618-2009 硅片厚度总厚度变化测试方法
检测设备
1. 傅里叶红外光谱仪(Thermo Nicolet iS50)：7800~350 cm⁻¹
2. 红外显微镜(Thermo Continuμm)：100×100 μm光斑
3. 四探针测试仪(KLA RS75)：0.1 mΩ~10 MΩ
4. 霍尔效应系统(Lake Shore 8404)：0.05~10 T
5. X射线衍射仪(Bruker D8 Discover)：Cu Kα
6. 椭偏仪(J.A. Woollam M-2000)：190~1700 nm
7. 准直光源(Newport 66907)：石英卤素灯
8. MCT检测器(液氮制冷 D*~10¹⁰)
9. 参考反射附件(15°入射角)
10. 数据处理软件(OMNIC 9.8)