检测项目

1.沉积速率测试：

  • 工艺气体流量偏差（1sccm）
  • 靶材刻蚀速率（/min3%）
  • 时间-厚度线性度（R≥0.998）
    • 2.膜厚均匀性分析：
  • 200mm晶圆内厚度极差（≤3%）
  • 边缘排除区域（5mm内允许5%）
  • 多批次重复性（RSD≤1.5%）
    • 3.真空系统性能：
  • 本底真空度（≤510⁻⁶Torr）
  • 泄漏率（≤110⁻⁹TorrL/s）
  • 抽气速率衰减率（年变化≤3%）
    • 4.基片温度控制：
  • 加热均匀性（2℃@400℃）
  • 升温速率稳定性（5℃/min）
  • 冷却过程热冲击梯度（≤10℃/s）
    • 5.等离子体特性：
  • 离子密度（10⁹~10cm⁻）
  • 电子温度（1~5eV）
  • 自偏压波动范围（10V）
    • 6.残余气体分析：
  • H₂O分压占比（≤100ppm）
  • CxHy化合物总量（≤50ppm）
  • O₂残留量（≤20ppm）

    • 检测范围

    1.半导体镀膜设备：CVD/PVD系统用于7nm以下制程的Al/TiN叠层结构镀膜，重点监控界面氧含量（≤0.5at%）

    2.光伏PVD系统：TCO薄膜沉积设备需验证AZO薄膜方阻均匀性（≤5%偏差）与透光率（≥85%@550nm）

    3.光学镀膜机：TaL2O5/SiO2多层膜系设备要求折射率偏差Δn≤0.005@633nm波长