检测项目
电流-电压（I-V）特性曲线：测量正向/反向偏置下0-2V范围内电流响应精度±0.1nA
峰值电压（Vp）：标定范围0.1-1.5V，误差≤±1%
谷值电流（Iv）：检测下限0.01μA，温度补偿范围-55℃~150℃
负微分电阻（NDR）：斜率计算精度±0.5mV/decade
响应时间：纳秒级脉冲测试（1ns~100μs），抖动误差<±5ps
检测范围
砷化镓（GaAs）基异质结RTD
磷化铟（InP）基量子阱结构RTD
氮化镓（GaN）高频功率器件
锗硅（SiGe）纳米线隧穿器件
二维材料（如MoS2/WSe2）范德华异质结器件
检测方法
IEC 60749-20: 半导体器件机械与气候试验方法
ISO 16750-4: 道路车辆电子电气环境条件测试
GB/T 4937-2018: 半导体器件机械和气候试验方法
ASTM F1241: 半导体材料载流子浓度测试
JESD22-A108E: 温度循环加速寿命测试
检测设备
Keysight B1500A半导体参数分析仪：支持10fA~1A电流分辨率
Cascade Summit 12000探针台：12英寸晶圆级测试，定位精度±0.5μm
Agilent 4155C精密源表：四象限电压输出±100V，积分时间1ms~10s
Thermo Scientific Espec SU-261高低温试验箱：温控范围-70℃~180℃
Tektronix DPO71604C示波器：16GHz带宽，采样率100GS/s