检测项目
孔径分布检测：测量范围0.5-100nm，精度±0.3nm
氧化层厚度测定：采用非破坏性测量，分辨率达0.1nm
孔隙率分析：计算开孔/闭孔比例，误差范围≤1.5%
热稳定性测试：温度范围-196℃~1200℃，升温速率0.5-20℃/min
电绝缘性能检测：介电强度测试电压0-10kV，漏电流精度0.1pA
检测范围
单晶硅基多孔氧化结构
多晶硅太阳能电池钝化层
纳米线阵列氧化隔离层
微机电系统(MEMS)绝缘层
复合型多孔硅薄膜材料
检测方法
ASTM E112-13：晶粒度测定方法
ISO 15901-2:2022：压汞法孔隙度测定
GB/T 19587-2017：气体吸附BET比表面测试
ISO 14703:2020：扫描电镜(SEM)样品制备
GB/T 20042.5-2021：质子交换膜电性能测试
检测设备
场发射扫描电镜：蔡司Sigma 500，配备EDS能谱仪
全自动比表面分析仪：麦克ASAP 2460，测量范围0.0001-4000m²/g
同步热分析仪：耐驰STA 449 F5，TG-DSC联用系统
高精度椭偏仪：J.A.Woollam M-2000V，波长范围245-1700nm
宽频介电阻抗谱仪：Novocontrol Alpha-A，频率范围1μHz-20MHz