检测项目
元素含量检测（Bi/Te摩尔比、杂质元素含量）
晶体结构分析（晶格常数、晶系归属、择优取向度）
材料纯度检测（主含量≥99.99%，重金属杂质≤10ppm）
热稳定性测试（DSC相变温度、TG失重率≤0.5%）
电学性能检测（载流子浓度(1e18-1e20 cm⁻³)、Seebeck系数(150-250 μV/K)）
检测范围
Bi₂Te₃基热电材料（温差发电/制冷器件）
BiTe系半导体晶圆（红外探测器基材）
光学镀膜用碲化铋靶材（膜层厚度50-500nm）
合金添加剂（铅铋碲核工程材料）
催化剂载体（介孔结构BiTe复合材料）
检测方法
元素分析：GB/T 20935.3-2008（金属材料ICP-OES法）
XRD物相鉴定：ISO 20203:2005（步进扫描0.02°/step）
纯度检测：ASTM E2857-16（GD-MS深度剖析）
热分析：GB/T 19466.3-2004（DSC升温速率10℃/min）
电性能测试：IEC 62851-2:2017（霍尔效应+四探针法）
检测设备
赛默飞iCAP 7400 ICP-OES（检出限0.01ppm）
布鲁克D8 ADVANCE XRD（2θ范围5-90°）
珀金埃尔默STA 8000同步热分析仪（温度范围RT-1500℃）
安捷伦5500系列霍尔测试系统（磁场强度0.5T）
岛津EPMA-8050G电子探针（空间分辨率1μm）