检测项目

热电性能参数：塞贝克系数（±5%误差）、电阻率（0.1-10mΩ·cm）、导热系数（1.5-3.0W/m·K）

最大温差负载能力：ΔT≥65℃（热端温度80℃）、冷端温度稳定性（±0.5℃/h）

绝缘性能测试：耐压强度≥1500V AC（漏电流＜1mA）、绝缘电阻＞100MΩ（500V DC）

耐久性测试：热循环次数≥5000次（-40℃~125℃）、连续运行寿命＞10000小时

温度均匀性：冷/热面温差梯度≤2℃（有效面积占比≥90%）

检测范围

碲化铋（Bi2Te3）基P/N型半导体热电材料

方钴矿（Skutterudite）基高温制冷电堆

硅锗合金（SiGe）宽温区制冷组件

微型制冷电堆（单级厚度≤3mm）

工业级多级串联制冷系统（ΔT≥120℃）

检测方法

热电参数测试：ASTM E1225（稳态法测导热系数）、GB/T 13301-2017（温差电动势测量）

绝缘性能测试：IEC 60664-1（耐压试验）、GB/T 3048.3-2007（绝缘电阻）

耐久性测试：ISO 22007-6（热循环试验）、GB/T 2423.22-2012（温度快速变化）

温差负载能力：ASTM D5470（接触热阻法）、SJ/T 11659-2016（制冷量测试）

失效分析：SEM/EDS微观形貌观测（依据GB/T 17359-2012）

检测设备

Keithley 2450源表：四线法电阻率测量（0.1μV~21V分辨率）

LFA 467 HyperFlash激光导热仪：导热系数测试（0.1~2000W/m·K范围）

Chroma 19032耐压测试仪：AC/DC耐压与绝缘电阻测试（0~5kV/100GΩ）

Thermotron SM-32环境试验箱：-70℃~180℃温循控制（±0.3℃均匀度）

FLIR T1040红外热像仪：表面温度场分析（0.03℃热灵敏度）