检测项目
电光系数（γ33）：测量范围10-100 pm/V，精度±1.5%
半波电压（Vπ）：测试电压范围0.1-5 kV，分辨率0.01 kV
光学透过率：波长范围400-1600 nm，透过率偏差≤0.5%
消光比：典型值≥30 dB，测试频率1-40 GHz
响应时间：上升时间≤10 ns，延迟时间≤5 ns
检测范围
铌酸锂晶体（LiNbO3）：电光调制器、相位调制元件
钽酸锂晶体（LiTaO3）：高频光开关、传感器
磷酸二氢钾晶体（KDP）：激光倍频器件
砷化镓晶体（GaAs）：太赫兹波调制器件
BBO晶体（β-BaB2O4）：超快激光系统组件
检测方法
电光系数测定：ISO 17331-2015（横向调制法）
半波电压校准：GB/T 18905.2-2020（极间电容补偿法）
光学均匀性检测：ASTM F218-20（激光干涉法）
消光比测试：IEC 61300-3-52:2022（偏振分析法）
温度稳定性测试：GB/T 11297.11-2022（-40℃~85℃循环试验）
检测设备
ZYGO Verifire MST干涉仪：光学面形精度λ/20，重复性0.1 nm
Agilent 8164B光波元件分析仪：波长范围1270-1650 nm，动态范围70 dB
Thorlabs PAX1000偏振分析仪：消光比测量精度±0.1 dB
Keysight B2902A精密源表：电压分辨率1 μV，电流分辨率10 fA
Newport 2936-R光功率计：校准波长覆盖190-1800 nm