检测项目

直流电流密度分布范围：0.1-1000 A/cm²，分辨率±0.5%

交流电流密度频率响应：10 Hz-1 MHz，相位误差≤0.1°

脉冲电流密度瞬态特性：上升时间≤10 ns，占空比0.1-99.9%

温度依赖性测试：-196℃至+300℃，温控精度±0.5℃

表面电流均匀性分析：空间分辨率10 μm，二维分布成像

检测范围

电子元器件：IGBT模块、功率MOSFET芯片

导电功能涂层：银浆、石墨烯复合涂层（厚度5-200 μm）

印制电路板：高密度互连PCB（线宽/间距≥25 μm）

金属基复合材料：铜-金刚石、铝-碳化硅（导热率≥200 W/m·K）

新能源电池：固态电解质膜（离子电导率>1 mS/cm）

检测方法

四探针法：ASTM F1529，GB/T 1551（薄层材料面电阻测量）

扫描开尔文探针：ISO 2178，ASTM B456（表面电位分布检测）

锁相放大技术：IEC 60404-14，GB/T 3657（弱电流信号提取）

红外热成像法：ISO 18434-1，GB/T 19870（焦耳热分布关联分析）

磁光克尔效应：ASTM E2533，JJG 2083-2020（动态电流可视化）

检测设备

Keysight B2900A精密源表：最小电流分辨率10 fA，电压范围±210 V

Cascade M150四探针测试仪：接触压力0.1-2 N可调，温控模块集成

FLIR X8580sc红外热像仪：热灵敏度15 mK@30Hz，1280×1024像素

Lake Shore 8400系列霍尔效应系统：磁场强度±2 T，样品台兼容6英寸晶圆

Neoark LB01锁相放大器：频率范围0.001 Hz-250 MHz，动态储备>100 dB