检测项目
漏电流密度：测量范围1 pA/cm²~10 μA/cm²（@25℃）
击穿电压：测试电压0~3000 V（精度±0.5%）
界面态密度：分辨率1×10¹⁰ cm⁻²·eV⁻¹
载流子迁移率：测试频率1 kHz~1 MHz
热载流子注入效应：温度循环-55℃~200℃
检测范围
半导体晶圆：硅(Si)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)
薄膜材料：氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)外延层
功率器件：IGBT模块、MOSFET芯片
光电材料：钙钛矿薄膜、有机发光层
封装基板：陶瓷基板(Al₂O₃)、金属芯PCB
检测方法
ASTM F1241-22：半导体材料漏电流测试规程
ISO 14647:2018：薄膜材料界面特性测量方法
GB/T 1552-2021：硅单晶电阻率直流四探针法
IEC 60749-27:2020：半导体器件热载流子试验
SJ/T 11893-2023：宽禁带半导体材料电学参数测试规范
检测设备
Keysight B1505A功率器件分析仪：支持3000V/1000A脉冲测试
Tektronix PA3000高压探头系统：带宽DC-200MHz
Cascade Summit 12000探针台：支持450mm晶圆级测试
Keithley 4200A-SCS参数分析仪：最小电流分辨率0.1 fA
Semilab SD-10表面分析系统：可测载流子寿命＞1 μs