检测项目
暗电流密度测量：量程1nA/cm²~10μA/cm²，分辨率≤0.1pA
反向偏置电压下的暗电流特性：电压范围0~100V@±0.05%精度
温度依赖性测试：-40℃~150℃温控条件下ΔI-V曲线分析
光谱响应关联性验证：波长范围300~1700nm@±2nm偏差
长期稳定性测试：持续72小时监测电流漂移量≤3%
检测范围
硅基PIN光电二极管（Si-PIN PD）
InGaAs近红外探测器（波长900~1700nm）
有机半导体薄膜器件（厚度50~500nm）
钙钛矿光伏器件（有效面积≥1cm²）
GaN基紫外探测器（响应波段200~365nm）
检测方法
ASTM F1241-22：半导体器件暗电流测试标准方法
ISO 16525-3:2018：粘接材料电性能评估规范
GB/T 4937.1-2023：半导体器件机械和气候试验方法
GB/T 6495.8-2016：光伏器件第8部分：光谱响应测量
IEC 60747-5-5:2020：光电子器件测试基础标准
检测设备
Keysight B1500A半导体参数分析仪：支持10fA~1A宽量程测量
Keithley 4200-SCS参数测试系统：集成CV/IV/LIV多模式分析
ESPEC STH-120温控试验箱：温度稳定性±0.5℃@-70~180℃
Newport Oriel Sol3A模拟光源系统：AAA级光谱匹配度
Cascade Summit12000探针台：支持200mm晶圆级测试