检测项目

暗电流密度测量：量程1nA/cm²~10μA/cm²，分辨率≤0.1pA

反向偏置电压下的暗电流特性：电压范围0~100V@±0.05%精度

温度依赖性测试：-40℃~150℃温控条件下ΔI-V曲线分析

光谱响应关联性验证：波长范围300~1700nm@±2nm偏差

长期稳定性测试：持续72小时监测电流漂移量≤3%

检测范围

硅基PIN光电二极管（Si-PIN PD）

InGaAs近红外探测器（波长900~1700nm）

有机半导体薄膜器件（厚度50~500nm）

钙钛矿光伏器件（有效面积≥1cm²）

GaN基紫外探测器（响应波段200~365nm）

检测方法

ASTM F1241-22：半导体器件暗电流测试标准方法

ISO 16525-3:2018：粘接材料电性能评估规范

GB/T 4937.1-2023：半导体器件机械和气候试验方法

GB/T 6495.8-2016：光伏器件第8部分：光谱响应测量

IEC 60747-5-5:2020：光电子器件测试基础标准

检测设备

Keysight B1500A半导体参数分析仪：支持10fA~1A宽量程测量

Keithley 4200-SCS参数测试系统：集成CV/IV/LIV多模式分析

ESPEC STH-120温控试验箱：温度稳定性±0.5℃@-70~180℃

Newport Oriel Sol3A模拟光源系统：AAA级光谱匹配度

Cascade Summit12000探针台：支持200mm晶圆级测试