检测项目
热老化测试：温度范围-65℃~300℃，温变速率15℃/min
湿热循环测试：湿度95%RH±3%，温度循环40℃~85℃
机械疲劳测试：振动频率5Hz~2000Hz，加速度20g
电应力老化：直流偏置电压0~5000V，电流波动±0.5%
紫外辐照测试：波长280nm~400nm，辐照强度1.5W/m²
检测范围
半导体器件：硅基芯片、GaN功率器件
高分子封装材料：环氧树脂模塑料、聚酰亚胺薄膜
金属互连结构：铜柱凸块、锡银焊料
光电元件：LED发光芯片、光纤连接器
储能元件：锂离子电池隔膜、超级电容器电极
检测方法
热老化：ASTM D3045-92(2018)，GB/T 7141-2008
湿热循环：IEC 60068-2-78:2012，GB/T 2423.3-2016
机械振动：ISO 16750-3:2021，GB/T 2423.10-2019
高压加速寿命试验：JESD22-A108F:2020
紫外耐候性：ISO 4892-3:2016，GB/T 16422.3-2022
检测设备
热老化试验箱：ESPEC PH-030（温度范围-70℃~200℃，温控精度±0.5℃）
复合环境试验箱：Weiss WK3-180/40（温湿度控制精度±0.3℃/±2%RH）
三轴振动台：LDS V964（最大加速度100g，频率分辨率0.1Hz）
高压绝缘测试仪：HIOKI ST5520（输出电压10kV±0.05%，漏电流分辨率1pA）
紫外加速老化箱：Q-LAB QUV/spray（辐照度闭环控制精度±0.02W/m²）