检测项目
微观形貌分析：分辨率≤0.8nm，放大倍数20-1,000,000X
元素成分分析：能量分辨率≤125eV（EDS），检测范围Be4-U92
晶体结构表征：晶格分辨率≤0.1nm，衍射角精度±0.01°
三维重构分析：层析切片厚度≤5nm，三维分辨率10nm
缺陷检测分析：最小缺陷识别尺寸≤2nm，定位精度±1μm
检测范围
半导体材料：晶圆、纳米器件、MEMS组件
金属材料：合金相结构、焊接界面、疲劳断口
高分子材料：聚合物共混相态、纤维截面形貌
生物样品：细胞超微结构、生物矿化组织
陶瓷材料：晶界特征、气孔率测定
检测方法
SEM形貌分析：ISO 16700:2019，GB/T 27788-2020
TEM衍射分析：ASTM E2090-18，GB/T 34892-2023
EDS元素分析：ISO 22309:2011，GB/T 17359-2023
EBSD晶体取向：ISO 24173:2022，GB/T 41076-2021
FIB三维重构：ASTM E3409-22，GB/T 41626-2022
检测设备
场发射扫描电镜：蔡司GeminiSEM 500，分辨率0.6nm@15kV
透射电子显微镜：FEI Titan Themis 300，球差校正STEM
能谱仪系统：牛津Ultim Max 170，大面积SDD探测器
双束聚焦离子束：Thermo Scientific Helios 5 Hydra
电子背散射衍射仪：Bruker eFlash XS，Hough分辨率>240