检测项目

光功率输出：范围5 mW至10 W，精度±2%

中心波长：范围405 nm至1550 nm，偏差≤±1 nm

阈值电流：测量范围10 mA至500 mA，重复性误差＜1%

发散角：垂直/水平方向角度，精度±0.1°

温度特性：工作温度-40℃至85℃，波长偏移量≤0.05 nm/℃

检测范围

半导体材料：GaAs、InP基激光二极管

工业高功率激光器：光纤耦合型、直接输出型

医疗设备用激光器：眼科、皮肤科治疗模块

光通信模块：单模/多模激光二极管组件

科研级激光器：窄线宽、可调谐波长器件

检测方法

光功率检测：IEC 60825-1（激光安全）、GB 7247.1-2012

波长校准：ISO 11151-2（激光参数测试）、GB/T 26599-2011

阈值电流测试：ASTM E2992-22（半导体激光特性）

发散角分析：GB/T 15175-2012（激光束宽度测量）

温度循环测试：GB/T 31359-2015（光电子器件环境适应性）

检测设备

光功率计：Newport 1936-C，量程0.1 nW-10 W，波长覆盖400-1650 nm

光谱分析仪：Yokogawa AQ6370D，分辨率0.02 nm，波长范围350-1200 nm

源测量单元：Keysight B2902A，电流分辨率0.1 fA，电压精度±0.015%

光束轮廓仪：Ophir BeamGage，采样率30 fps，动态范围1:1000

温度测试系统：ThermoStream T-2600，温控范围-70℃至+225℃，精度±0.5℃