检测项目
光功率输出：范围5 mW至10 W，精度±2%
中心波长：范围405 nm至1550 nm，偏差≤±1 nm
阈值电流：测量范围10 mA至500 mA，重复性误差＜1%
发散角：垂直/水平方向角度，精度±0.1°
温度特性：工作温度-40℃至85℃，波长偏移量≤0.05 nm/℃
检测范围
半导体材料：GaAs、InP基激光二极管
工业高功率激光器：光纤耦合型、直接输出型
医疗设备用激光器：眼科、皮肤科治疗模块
光通信模块：单模/多模激光二极管组件
科研级激光器：窄线宽、可调谐波长器件
检测方法
光功率检测：IEC 60825-1（激光安全）、GB 7247.1-2012
波长校准：ISO 11151-2（激光参数测试）、GB/T 26599-2011
阈值电流测试：ASTM E2992-22（半导体激光特性）
发散角分析：GB/T 15175-2012（激光束宽度测量）
温度循环测试：GB/T 31359-2015（光电子器件环境适应性）
检测设备
光功率计：Newport 1936-C，量程0.1 nW-10 W，波长覆盖400-1650 nm
光谱分析仪：Yokogawa AQ6370D，分辨率0.02 nm，波长范围350-1200 nm
源测量单元：Keysight B2902A，电流分辨率0.1 fA，电压精度±0.015%
光束轮廓仪：Ophir BeamGage，采样率30 fps，动态范围1:1000
温度测试系统：ThermoStream T-2600，温控范围-70℃至+225℃，精度±0.5℃