检测项目

纯度检测：HfI4含量≥99.99%（质量分数）

金属杂质元素：Fe、Ni、Cr等≤5ppm（ICP-MS法）

非金属杂质含量：Cl⁻≤0.1%，SO4²⁻≤0.05%（离子色谱法）

晶体结构参数：晶格常数误差≤0.002Å（XRD分析）

热稳定性测试：分解温度≥400℃（TGA/DSC联用）

检测范围

高纯碘化铪（4N级及以上）原材料

半导体薄膜沉积用前驱体材料

光学镀膜用碘化铪蒸发颗粒

核工业用碘化铪靶材组件

化学气相沉积（CVD）工艺原料

检测方法

ASTM E1479-16：X射线荧光光谱法测定金属杂质

GB/T 17433-2014：电感耦合等离子体质谱法检测痕量元素

ISO 17034:2016：标准物质定值方法验证纯度

GB/T 23413-2009：X射线衍射晶体结构分析方法

ASTM E1131-20：热重分析法测定热分解特性

检测设备

X射线荧光光谱仪（Thermo Fisher ARL PERFORM'X）：用于快速筛查金属杂质元素

高分辨电感耦合等离子体质谱仪（Agilent 7900 ICP-MS）：检测ppb级痕量杂质

同步热分析仪（NETZSCH STA 449 F5）：实现TGA/DSC同步热分析

多功能X射线衍射仪（Bruker D8 ADVANCE）：精确测定晶体结构参数

全自动水分测定仪（Metrohm 899 Coulometer）：检测游离水分含量≤0.01%