检测项目
晶界扩散激活能测定（温度范围：800-1600℃，精度±5 kJ/mol）
晶界扩散系数测量（Dgb，量级10-16~10-12 m²/s）
晶界迁移速率分析（速度范围0.1-100 μm/h）
晶界偏聚浓度检测（元素浓度偏差±0.1 at.%）
晶界缺陷密度表征（分辨率≤10 nm）
检测范围
高温合金：镍基/钴基超合金、耐热钢
结构陶瓷：Al2O3、Si3N4、ZrO2
半导体材料：单晶硅、GaN、SiC晶圆
金属间化合物：TiAl、Ni3Al、FeAl
纳米晶材料：纳米铜、纳米氧化锌复合材料
检测方法
ASTM E112-13：晶粒度测定与统计分析方法
ISO 20166:2017：高温晶界扩散同位素示踪法
GB/T 13305-2008：金属材料晶界特性电子背散射衍射检测
ASTM E1351-01(2016)：晶界扩散激活能测定标准指南
GB/T 32496-2016：金属材料晶界元素偏析的俄歇能谱分析法
检测设备
场发射扫描电镜：Zeiss GeminiSEM 500，配备Oxford EBSD探测器
二次离子质谱仪：CAMECA IMS 7f-auto，深度分辨率0.5 nm
高温原位透射电镜：FEI Titan G2 80-300，最高温度1300℃
激光共聚焦显微镜：Olympus LEXT OLS5000，Z轴分辨率10 nm
原子探针层析仪：CAMECA LEAP 5000 XR，质量分辨率m/Δm≥2000