检测项目
晶胞常数测定：包括a/b/c轴长度及α/β/γ角误差范围（±0.002 nm, ±0.1°）
晶体缺陷密度分析：位错密度（106-1012 cm-2）、层错率（≤0.5%）
晶粒取向分布：取向差角分辨率（0.01°）
残余应力测试：测量精度±10 MPa
相组成定量分析：相含量检出限（0.1 wt%）
检测范围
金属合金：铝合金（AA6061）、钛合金（Ti-6Al-4V）等
半导体材料：单晶硅（Si）、砷化镓（GaAs）等
陶瓷材料：氧化铝（Al2O3）、氮化硅（Si3N4）等
高分子晶体材料：聚乙烯（PE）、聚丙烯（PP）单晶薄膜
矿物晶体材料：石英（SiO2）、方解石（CaCO3）等
检测方法
X射线衍射法（XRD）：ASTM E975, GB/T 23413-2009
电子背散射衍射（EBSD）：ISO 24173:2009, GB/T 38885-2020
透射电子显微镜（TEM）：ISO 25498:2018, GB/T 27788-2020
拉曼光谱法：ASTM E1840, GB/T 36065-2018
同步辐射白光形貌术：ISO/TS 21383:2021
检测设备
X射线衍射仪：Rigaku SmartLab（θ-θ测角仪，Cu靶Kα辐射）