检测项目

晶胞常数测定:包括a/b/c轴长度及α/β/γ角误差范围(±0.002 nm, ±0.1°)

晶体缺陷密度分析:位错密度(106-1012 cm-2)、层错率(≤0.5%)

晶粒取向分布:取向差角分辨率(0.01°)

残余应力测试:测量精度±10 MPa

相组成定量分析:相含量检出限(0.1 wt%)

检测范围

金属合金:铝合金(AA6061)、钛合金(Ti-6Al-4V)等

半导体材料:单晶硅(Si)、砷化镓(GaAs)等

陶瓷材料:氧化铝(Al2O3)、氮化硅(Si3N4)等

高分子晶体材料:聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)单晶薄膜

矿物晶体材料:石英(SiO2)、方解石(CaCO3)等

检测方法

X射线衍射法(XRD):ASTM E975, GB/T 23413-2009

电子背散射衍射(EBSD):ISO 24173:2009, GB/T 38885-2020

透射电子显微镜(TEM):ISO 25498:2018, GB/T 27788-2020

拉曼光谱法:ASTM E1840, GB/T 36065-2018

同步辐射白光形貌术:ISO/TS 21383:2021

检测设备

X射线衍射仪:Rigaku SmartLab(θ-θ测角仪,Cu靶Kα辐射)