检测项目

晶体尺寸分布：测量范围0.1-500μm，分辨率±0.05μm

晶面取向偏差：角度偏差≤0.5°，空间分辨率10nm

缺陷密度分析：检出限1×10³/cm²，支持位错/层错分类统计

化学成分均匀性：元素含量偏差≤0.3at%，映射精度50nm

力学性能测试：纳米压痕硬度0.1-50GPa，模量误差±2%

检测范围

金属合金：包括铝合金（AA6061）、钛合金（Ti-6Al-4V）等

半导体材料：硅(Si)、砷化镓(GaAs)单晶及外延片

陶瓷材料：氧化铝(Al₂O₃)、氮化硅(Si₃N₄)结构陶瓷

高分子复合材料：聚醚醚酮(PEEK)/碳纤维增强体系

光学晶体材料：铌酸锂(LiNbO₃)、氟化钙(CaF₂)等

检测方法

ASTM E112-13：晶粒度测定标准方法

ISO 22262-2:2014：材料显微结构定量分析

GB/T 13298-2015：金属显微组织检验方法

ASTM E384-22：材料微压痕硬度测试标准

ISO 16700:2016：扫描电镜操作规范

检测设备

场发射扫描电镜：蔡司Sigma 500，配备牛津Xplore 30能谱仪

电子背散射衍射系统：牛津Symmetry S2，角度分辨率0.1°

X射线衍射仪：布鲁克D8 Advance，2θ精度±0.0001°

纳米压痕仪：安东帕TTX-NHT³，最大载荷500mN

激光共聚焦显微镜：奥林巴斯LEXT OLS5000，Z轴分辨率1nm