检测项目

暗电流：测量无光照条件下的反向漏电流（典型值0.1-100nA）

响应度：测试单位光功率产生的光电流（单位A/W）

光谱响应范围：确定有效工作波长区间（如400-1100nm）

响应时间：测量上升/下降时间（典型值1ns-10μs）

温度特性：评估-40℃至+85℃范围内的参数漂移

线性度：验证光强与输出电流的线性关系（误差≤±2%）

检测范围

硅基PIN型光电二极管

InGaAs红外光电二极管

雪崩光电二极管（APD）

紫外增强型光电二极管

TO/陶瓷/表贴封装器件

检测方法

暗电流测试：IEC 60747-5-3半导体器件测量方法

光谱响应测试：ASTM E1028标准光源法

动态特性测试：GB/T 15651.3高频脉冲法

温度循环测试：MIL-STD-883 Method 1010.8

线性度验证：ISO 13695光学非线性测量规范

可靠性评估：GB/T 2423系列环境试验标准

检测设备

Keysight B1500A半导体参数分析仪：支持pA级电流测量

Labsphere LMS-9000光谱响应测试系统：波长覆盖200-1700nm

Tektronix DPO7254示波器：25GHz带宽时域分析

Espec TSB-52温控箱：-70℃至+180℃精确控温

Newport 818系列光功率计：校准精度±0.5%

Ophir Vega激光源：输出功率稳定性±0.25%