检测项目
化学成分分析：碲（Te）含量58.5%-61.5%，锗（Ge）含量38.5%-41.5%，杂质元素总量≤0.05%
晶体结构表征：立方相/菱方相比例测定（误差±1.5%），晶格常数a=5.98-6.02Å
电学性能测试：电阻率0.001-0.1Ω·cm（25℃），载流子浓度1×10^19-5×10^20 cm^-3
热学性能测试：相变温度180-220℃，热导率2-4 W/(m·K)
表面形貌分析：表面粗糙度Ra≤5nm（10μm×10μm扫描区域）
检测范围
半导体级碲化锗单晶/多晶材料
红外光学器件用碲化锗镀膜材料
相变存储器用GeTe-Sb2Te3合金靶材
热电发电模块用掺杂型碲化锗材料
纳米结构碲化锗粉体（粒径50-500nm）
检测方法
GB/T 17359-2023《微束分析 电子探针显微分析通则》
ASTM E1446-22《X射线衍射法测定金属间化合物相的标准指南》
ISO 17034:2016《标准物质生产者能力要求》
GB/T 26008-2020《红外光学材料杂质元素限量规范》
IEC 60404-13:2018《磁性材料第13部分：电阻率测量方法》
检测设备
X射线衍射仪：PANalytical X'Pert3 Powder XRD（2θ范围5°-150°，分辨率<0.02°）
电感耦合等离子体质谱仪：Agilent ICP-MS 7900（检出限≤0.1ppb）
四探针测试仪：Lucas Labs Pro4-4400N（电流范围1nA-100mA）
原子力显微镜：Bruker Dimension Icon（扫描精度0.1nm Z轴分辨率）
激光导热仪：NETZSCH LFA 467 HyperFlash（温度范围-120℃-500℃）