高纯镉粒检测

高纯镉粒的检测是保障其在半导体、核工业及光电材料领域应用可靠性的关键环节。本文围绕纯度分析、杂质元素测定、物理性能测试等核心项目展开,重点解析原子吸收光谱(AAS)、电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)等技术的应用规范,并依据ASTM、ISO及GB/T标准体系明确检测流程与质量控制要求。

原创阅读 172025-04-07工程师CMACNASISO高新技术企业

检测项目

1. 纯度分析:镉含量≥99.999%(5N级),采用差减法计算主元素占比

2. 杂质元素测定:包含Cu≤0.5ppm、Fe≤1.0ppm、Pb≤0.3ppm等21种痕量元素

3. 氧含量测试:氧浓度控制≤10ppm(LECO氧氮氢分析仪)

4. 粒度分布:D50值20-200μm可调(激光衍射法测量)

5. 密度与硬度:理论密度8.65g/cm³±0.05%,维氏硬度HV≥15

检测范围

1. 半导体级镉粒:用于MCT(碲镉汞)红外探测器制造

2. 光伏用高纯镉靶材:薄膜太阳能电池镀膜原料

3. 核工业用镉控制棒:中子吸收材料(Cd-113同位素丰度≥97%)

4. 电子器件镀层材料:继电器触点防氧化镀层

5. 高纯镉合金原料:Cd-Te、Cd-Zn等化合物半导体前驱体

检测方法

1. ASTM E1479-16《金属化学分析的火焰原子吸收标准试验方法》

2. ISO 17294-2:2016《水质-ICP-MS法测定微量元素》扩展应用于固体样品

3. GB/T 4336-2016《碳素钢和中低合金钢火花源原子发射光谱分析方法》适配镉基材料改良法

4. GB/T 20127-2006《金属材料 氧氮氢分析通则》热导法测定氧含量

5. ISO 13320:2020《粒度分析-激光衍射法的通用要求》

检测设备

1. Thermo Fisher iCAP RQ ICP-MS:痕量元素定量分析(检出限0.01ppb)

2. PerkinElmer PinAAcle 900T AAS:火焰/石墨炉双模式原子吸收光谱仪

3. Malvern Mastersizer 3000:激光粒度分析仪(测量范围0.01-3500μm)

4. LECO ONH836:脉冲熔融氧氮氢联测仪(氧分辨率0.01ppm)

5. Shimadzu EDX-8000HS:能量色散X射线荧光光谱仪(元素范围Be-U)

6. Mettler Toledo XPE205电子天平:微量称量(精度0.01mg)

7. Buehler Micromet 5103显微硬度计:维氏/努氏硬度测试模块

8. Netzsch DIL 402 Expedis Classic:热膨胀系数测定仪(温度范围-160℃-1550℃)

9. Agilent 7900 ICP-MS/MS:三重四级杆质谱仪(干扰消除模式)

10. Bruker D8 ADVANCE XRD:X射线衍射仪(晶体结构验证)

北检(北京)检测技术研究院【简称:北检院】

  • 报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
  • 检测周期:7~15工作日,可加急。
  • 资质:旗下实验室拥有CMA/CNAS/ISO资质。
  • 标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
  • 非标测试:支持定制化试验方案。
  • 售后:报告终身可查,工程师1v1服务。

QUALIFICATIONS

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