检测项目
1.孔径尺寸：测量直径公差0.1μm，适用0.1-500μm范围
2.深宽比：评估孔深与孔径比值（典型值5:1至20:1）
3.侧壁角度：垂直度偏差≤2，粗糙度Ra≤50nm
4.底部形貌：凹陷/凸起量≤100nm
5.界面污染：金属残留物≤0.1at%，氧化物厚度≤5nm
检测范围
1.硅基半导体晶圆接触孔（90-3nm工艺节点）
2.Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体通孔结构
3.多层PCB板微导通孔（直径50-300μm）
4.MEMS器件深反应离子刻蚀孔
5.金属化陶瓷基板散热孔阵列
检测方法
1.ASTME112-13：金相显微镜测定平均孔径
2.ISO1463:2021：镀层截面轮廓测量法
3.GB/T16594-2008：激光共聚焦三维重构技术
4.ASTMF3128-19：聚焦离子束（FIB）横截面分析
5.GB/T3505-2009：白光干涉仪表面粗糙度测量
检测设备
1.奥林巴斯DSX1000数码显微镜：2000光学放大，3D表面重建
2.蔡司Sigma500场发射扫描电镜：0.8nm分辨率，EDS成分分析
3.BrukerContourGT-K光学轮廓仪：0.1垂直分辨率
4.KeyenceVK-X3000激光共聚焦显微镜：408nm激光波长
5.ThermoFisherHeliosG4UX聚焦离子束系统：30kVGa+离子源
6.岛津EPMA-8050G电子探针：波长色散谱仪（WDS）
7.ParkNX20原子力显微镜：非接触模式扫描
8.HitachiTM4000台式电镜：15kV加速电压
9.中科科仪KY-2800X射线三维显微镜：180kV微焦点源
10.牛津仪器X-MaxN150能谱仪：50mm硅漂移探测器