检测项目

1.孔径尺寸:测量直径公差0.1μm,适用0.1-500μm范围

2.深宽比:评估孔深与孔径比值(典型值5:1至20:1)

3.侧壁角度:垂直度偏差≤2,粗糙度Ra≤50nm

4.底部形貌:凹陷/凸起量≤100nm

5.界面污染:金属残留物≤0.1at%,氧化物厚度≤5nm

检测范围

1.硅基半导体晶圆接触孔(90-3nm工艺节点)

2.Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体通孔结构

3.多层PCB板微导通孔(直径50-300μm)

4.MEMS器件深反应离子刻蚀孔

5.金属化陶瓷基板散热孔阵列

检测方法

1.ASTME112-13:金相显微镜测定平均孔径

2.ISO1463:2021:镀层截面轮廓测量法

3.GB/T16594-2008:激光共聚焦三维重构技术

4.ASTMF3128-19:聚焦离子束(FIB)横截面分析

5.GB/T3505-2009:白光干涉仪表面粗糙度测量

检测设备

1.奥林巴斯DSX1000数码显微镜:2000光学放大,3D表面重建

2.蔡司Sigma500场发射扫描电镜:0.8nm分辨率,EDS成分分析

3.BrukerContourGT-K光学轮廓仪:0.1垂直分辨率

4.KeyenceVK-X3000激光共聚焦显微镜:408nm激光波长

5.ThermoFisherHeliosG4UX聚焦离子束系统:30kVGa+离子源

6.岛津EPMA-8050G电子探针:波长色散谱仪(WDS)

7.ParkNX20原子力显微镜:非接触模式扫描

8.HitachiTM4000台式电镜:15kV加速电压

9.中科科仪KY-2800X射线三维显微镜:180kV微焦点源

10.牛津仪器X-MaxN150能谱仪:50mm硅漂移探测器