检测项目
1.空位浓度测定：测量范围110⁵~110⁰cm⁻
2.间隙原子密度分析：分辨率≤0.1ppm
3.缺陷形成能计算：精度0.05eV
4.迁移活化能测试：温度范围300-1500K
5.复合速率常数测量：时间分辨率10⁻s
检测范围
1.金属单质材料：铝、铜、钨等纯金属晶体
2.半导体材料：硅、锗单晶及III-V族化合物
3.陶瓷材料：氧化铝、氮化硅等结构陶瓷
4.离子晶体：NaCl、CsCl等卤化物晶体
5.合金材料：镍基高温合金、钛铝合金
检测方法
1.ASTME112-13晶粒尺寸测定法关联缺陷密度
2.ISO17025:2017实验室管理体系规范
3.GB/T13305-2008不锈钢中空位浓度测定
4.ISO14577-1:2015仪器化压痕法评估缺陷影响
5.GB/T28872-2012半导体材料点缺陷测试规范
检测设备
1.JEOLJSM-7900F场发射扫描电镜：纳米级缺陷形貌表征
2.BrukerD8ADVANCEX射线衍射仪：晶格畸变分析
3.NetzschSTA449F5同步热分析仪：高温缺陷动力学研究
4.ORTECGEM-C6060高纯锗探测器：正电子湮灭寿命谱测量
5.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD系统：晶体取向与缺陷关联分析
6.MalvernPanalyticalEmpyreanXRD平台：原位应变缺陷监测
7.FEITalosF200X透射电镜：原子尺度缺陷观测
8.ShimadzuAIM-9000红外显微镜：非接触式热缺陷定位
9.KeysightB1500A半导体分析仪：载流子-缺陷相互作用测试
10.AntonPaarLKAM450高温激光导热仪：热导率关联缺陷评估