检测项目
1.正向压降（VF）：测试电流1A时压降范围0.7-1.1V
2.反向击穿电压（VBR）：额定值5%偏差允许范围
3.反向漏电流（IR）：25℃下最大漏电流≤10μA@VR=80%VBR
4.结电容（Cj）：100kHz频率下典型值≤5pF
5.恢复时间（trr）：快恢复型≤50ns@IF=1A
检测范围
1.硅开关二极管（1N4148系列）
2.肖特基二极管（BAT54系列）
3.快恢复二极管（FR107系列）
4.TVS保护二极管（P6KE系列）
5.高频PIN二极管（MPN3404系列）
检测方法
1.正向特性测试：GB/T6571-2016《半导体分立器件测试方法》
2.反向耐压测试：IEC60747-1:2022《半导体器件通用规范》
3.动态参数测试：JEDECJESD282B.01标准
4.温度特性测试：GB/T17573-2021《半导体器件环境试验方法》
5.寿命加速试验：MIL-STD-750FMethod1039老化测试
检测设备
1.KeysightB1505A功率器件分析仪：IV/CV特性曲线测试
2.TektronixDPO7104C数字示波器：动态响应波形采集
3.Chroma19032耐压测试仪：0-5kV绝缘强度测试
4.ESPECPL-3KPH恒温恒湿箱：-70℃~180℃温循试验
5.Agilent4294A阻抗分析仪：10Hz-110MHz频段参数测量
6.Fluke8846A高精度万用表：6位分辨率直流参数测试
7.ThermoScientificCL24热成像仪：μs级瞬态温度监测
8.HiokiIM3593电桥：0.01pF电容测量精度
9.GWInstekLCR-8105G：Q值/损耗角测量
10.Keithley2636B源表：脉冲模式漏电流测试