检测项目

1.正向压降（VF）：测试电流1mA-10A范围，精度0.5%

2.反向击穿电压（VBR）：测量范围50V-3000V，漏电流阈值≤1μA

3.结电容（Cj）：频率1MHz条件下测试，分辨率0.1pF

4.反向恢复时间（trr）：脉冲宽度100ns-10μs可调

5.热阻（RθJA）：功率循环测试温差0.1℃

检测范围

1.硅基二极管矩阵（SiDiodeArray）

2.碳化硅二极管矩阵（SiCDiodeArray）

3.肖特基二极管矩阵（SchottkyDiodeArray）

4.光电二极管矩阵（PhotodiodeArray）

5.快恢复二极管矩阵（FRDArray）

检测方法

ASTMF42-20半导体器件静态参数测试规范

IEC60747-5:2020分立器件环境试验方法

GB/T4023-2015半导体器件热特性测试规程

ISO16750-4:2010汽车电子元件环境可靠性试验

GB/T4937-2018半导体器件机械和气候试验方法

检测设备

KeysightB1505A功率器件分析仪：最大电压3000V/电流1000A

TektronixDPO7054数字示波器：带宽5GHz/采样率40GSa/s

Chroma19032耐压测试仪：AC/DC双模式输出

AgilentE4980ALCR表：频率20Hz-2MHz精度0.05%

ThermoStreamT-2600温度冲击箱：温变速率60℃/min

FLIRA655sc红外热像仪：热灵敏度30mK@30Hz

ESPECPL-3KPH气候箱：温湿度范围-70℃~180℃/10%~98%RH

Keithley2450源表：四象限电压/电流输出功能

HIOKIIM3590阻抗分析仪：支持C-V/L-V复合测量模式

NIPXIe-4143模块化仪器：多通道并行测试系统