检测项目
1.正向压降（VF）：测试电流1mA-10A范围，精度0.5%
2.反向击穿电压（VBR）：测量范围50V-3000V，漏电流阈值≤1μA
3.结电容（Cj）：频率1MHz条件下测试，分辨率0.1pF
4.反向恢复时间（trr）：脉冲宽度100ns-10μs可调
5.热阻（RθJA）：功率循环测试温差0.1℃
检测范围
1.硅基二极管矩阵（SiDiodeArray）
2.碳化硅二极管矩阵（SiCDiodeArray）
3.肖特基二极管矩阵（SchottkyDiodeArray）
4.光电二极管矩阵（PhotodiodeArray）
5.快恢复二极管矩阵（FRDArray）
检测方法
ASTMF42-20半导体器件静态参数测试规范
IEC60747-5:2020分立器件环境试验方法
GB/T4023-2015半导体器件热特性测试规程
ISO16750-4:2010汽车电子元件环境可靠性试验
GB/T4937-2018半导体器件机械和气候试验方法
检测设备
KeysightB1505A功率器件分析仪：最大电压3000V/电流1000A
TektronixDPO7054数字示波器：带宽5GHz/采样率40GSa/s
Chroma19032耐压测试仪：AC/DC双模式输出
AgilentE4980ALCR表：频率20Hz-2MHz精度0.05%
ThermoStreamT-2600温度冲击箱：温变速率60℃/min
FLIRA655sc红外热像仪：热灵敏度30mK@30Hz
ESPECPL-3KPH气候箱：温湿度范围-70℃~180℃/10%~98%RH
Keithley2450源表：四象限电压/电流输出功能
HIOKIIM3590阻抗分析仪：支持C-V/L-V复合测量模式
NIPXIe-4143模块化仪器：多通道并行测试系统