检测项目
1.反向击穿电压（VBR）：测量基极间最大耐受电压，典型范围30-100V
2.峰值电流（IP）：触发导通临界电流值测试，精度0.1mA
3.谷值电流（IV）：维持导通最小电流测定，量程0.5-5mA
4.分压比（η）：基极电阻比值测量，误差≤2%
5.反向漏电流（IR）：关断状态下泄漏电流检测，分辨率1nA
检测范围
1.N型硅基单结晶体管（如2N2646系列）
2.P型锗基单结晶体管（适用于低频振荡电路）
3.表面贴装型UJT器件（SOT-23封装）
4.高压型单结晶体管（VBR>150V）
5.晶闸管触发专用UJT（如KT6403系列）
检测方法
1.GB/T4587-1994《半导体分立器件测试方法》电参数测试规范
2.IEC60747-6:2016半导体器件分立器件测试标准
3.ASTMF1246-2018半导体热特性测试规程
4.SJ/T11399-2009半导体器件高温存储试验方法
5.ISO16750-4:2010道路车辆电气环境试验标准
检测设备
1.KeysightB1505A功率器件分析仪：支持2000V/1000A参数测试
2.TektronixKeithley2450源表：四象限IV特性曲线扫描
3.Chroma19032耐压测试仪：AC/DC5kV绝缘性能测试
4.ESPECSTH-120温湿度试验箱：-70℃~180℃环境模拟
5.FLIRA325sc红外热像仪：μ级温度分布监测
6.Agilent4294A阻抗分析仪：40Hz-110MHz特性分析
7.HiokiIM3570阻抗分析仪：4端对精密阻抗测量
8.ThermoScientificCL24尘埃试验箱：IEC60068-2-68沙尘测试
9.Rohde&SchwarzRTM3004示波器：10bitADC实时波形采集
10.MTSSANS微机控制万能试验机：机械应力可靠性验证