金属晶须检测

金属晶须是电子元器件及材料中常见的失效诱因之一,其生长机制与微观结构密切相关。专业检测需涵盖形貌表征、成分分析及环境模拟等核心环节,重点关注晶须密度、长度分布及生长动力学参数。本文系统阐述金属晶须检测的关键项目、适用材料范围、标准化方法及专用设备配置。

原创阅读 122025-04-08工程师CMACNASISO高新技术企业

检测项目

1.晶须密度测定(单位面积晶须数量:0-500根/mm);

2.晶须长度分布统计(测量范围:1-1000μm);

3.直径测量(精度0.05μm);

4.生长速率监测(时间分辨率≤1h);

5.元素成分分析(EDS检测限≥0.1wt%);

6.晶体结构表征(XRD角度分辨率≤0.02);

7.表面应力测试(精度5MPa)

检测范围

1.锡基焊料及其镀层(Sn-Cu/Sn-Ag合金系);

2.锌镀层钢板(厚度5-50μm);

3.铜引线框架表面处理层;

4.银触点电镀材料;

5.铝基复合材料界面相;

6.金键合丝表面涂层;

7.铅-free封装材料

检测方法

ASTMB923-21《金属粉末晶须测试标准方法》压力测试法;

ISO16525-3:2014《各向异性导电膜晶须评估》;

GB/T23603-2020《电子封装材料晶须生长试验方法》;

JESD22-A121A《锡晶须生长评估测试标准》;

IEC60068-2-82:2019《环境试验-锡晶须测试》;

GB/T2423.51-2020《电子电工产品环境试验表面安装器件耐锡晶须试验》

检测设备

1.HitachiSU5000场发射扫描电镜(分辨率1nm@15kV);

2.OxfordX-Max50能谱仪(元素分析范围B-U);

3.BrukerD8ADVANCEX射线衍射仪(Cu靶Kα辐射);

4.KeysightN6705B直流电源模块(输出精度0.02%);

5.ESPECSH-642恒温恒湿箱(温控范围-70~150℃);

6.MitutoyoMF-U1010H光学显微镜(500倍物镜);

7.ZEISSCrossbeam550FIB-SEM双束系统;

8.Agilent5500原子力显微镜(接触模式分辨率0.1nm);

9.Instron5967万能材料试验机(载荷范围0-50kN);

10.ThermoFisherNicoletiS50FTIR光谱仪(波数范围7800-350cm⁻)

北检(北京)检测技术研究院【简称:北检院】

  • 报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
  • 检测周期:7~15工作日,可加急。
  • 资质:旗下实验室拥有CMA/CNAS/ISO资质。
  • 标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
  • 非标测试:支持定制化试验方案。
  • 售后:报告终身可查,工程师1v1服务。

QUALIFICATIONS

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