检测项目

1.能级跃迁概率：测量电子在不同能级间的跃迁速率（单位：s⁻）

2.基态-激发态能量差：精度达0.01eV的能级间距测定

3.能级寿命：通过时间分辨光谱获取纳秒至飞秒级衰减曲线

4.塞曼分裂效应：磁场强度0-10T条件下的能级分裂观测

5.斯塔克位移：电场强度0-100kV/cm下的能级偏移量分析

检测范围

1.III-V族半导体材料（GaAs、InP等）

2.稀土掺杂发光晶体（YAG:Ce⁺、YVO₄:Nd⁺等）

3.量子点/量子阱结构材料（CdSe/ZnS核壳结构）

4.有机电致发光材料（Alq3、Ir(ppy)3配合物）

5.超导材料临界态能级分析（YBCO、MgB₂等）

检测方法

1.ASTME2725-18荧光寿命光谱法标准规程

2.ISO20579-4:2021表面分析-电子能谱法

3.GB/T32271-2015半导体材料光致发光测试方法

4.ISO18516:2019俄歇电子能谱深度剖析法

5.GB/T35031-2018量子点材料荧光量子产率测试

检测设备

1.EdinburghInstrumentsFLS1000光致发光光谱仪：配备时间相关单光子计数模块

2.OxfordInstrumentsOptistatCF低温恒温器：温度范围4K-300K0.1K

3.HoribaLabRAMHREvolution显微拉曼系统：空间分辨率达0.5μm

4.Agilent4156C精密半导体参数分析仪：电流分辨率10fA

5.BrukerVertex80v真空傅里叶红外光谱仪：波数精度0.01cm⁻

6.LakeShore8400系列霍尔效应测试系统：磁场强度1.5T

7.Keithley2636B双通道源表：电压范围200V

8.AndoriDusDU420A-OE深耗尽CCD探测器：量子效率＞90%@400nm

9.JanisResearchST-500超导磁体系统：最大场强12T

10.KeysightB1500A半导体器件分析仪：C-V测试频率1MHz-3GHz