检测项目

1.电流增益（hFE）：测试范围0.1-1000倍@Ic=10mA/Vce=5V

2.击穿电压（VCEO）：测量范围5-1500V@Ic=1mA

3.漏电流（ICEO）：精度1nA@Vce=80%VCEO

4.结温升（ΔTj）：监测范围-65℃至+200℃

5.封装气密性：氦质谱检漏率≤510⁻⁸Pam/s

检测范围

1.硅基合金扩散型晶体管（3AD系列）

2.锗基合金结晶体管（3AX/3AG系列）

3.MOSFET合金栅极结构器件

4.高频合金发射极晶体管（fT≥300MHz）

5.高温合金封装晶体管（Tjmax≥175℃）

检测方法

1.电性能测试：ASTMF1241-2018/GB/T4587-1994

2.热特性分析：ISO22304:2021/GB/T2423.22-2012

3.X射线结构检验：ASTME1441-2019/GB/T17359-2012

4.气密性测试：MIL-STD-883Method1014/GB/T4937-2012

5.可靠性验证：JESD22-A101E/GB/T17573-1998

检测设备

1.KeysightB1500A半导体参数分析仪：支持DC-1MHz特性曲线扫描

2.ThermoScientificCMD500红外热成像仪：空间分辨率3μm@20x物镜

3.RigakuSmartLabX射线衍射仪：Cu靶Kα射线（λ=1.5406）

4.Agilent4294A阻抗分析仪：频率范围40Hz-110MHz

5.EspecPL-3K温度循环箱：温变速率15℃/min（-70℃~+180℃）

6.Hegewald&PeschkeMPT-2000机械应力测试台：压力范围0-500N0.5%FS

7.INFICONUL200氦质谱检漏仪：灵敏度510⁻mbarL/s

8.OlympusLEXTOLS5000激光显微镜：Z轴分辨率0.01nm