检测项目

1.电导率测试：测量范围10^-8-10³S/cm，精度0.5%

2.载流子浓度分析：涵盖10¹²-10²⁰cm^-3量级

3.霍尔效应测试：磁场强度0.1-1.5T，温度范围77-400K

4.迁移率测定：电子迁移率50-15000cm/(Vs)，空穴迁移率10-4500cm/(Vs)

5.禁带宽度测量：光谱范围200-2500nm，分辨率0.01eV

检测范围

1.有机半导体材料：聚噻吩衍生物、酞菁类化合物

2.无机半导体材料：硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)

3.纳米半导体材料：量子点、碳纳米管、二维过渡金属硫化物

4.半导体器件：场效应晶体管(FET)、光电二极管(PIN)

5.薄膜材料：氧化铟锡(ITO)、氮化镓(GaN)外延层

检测方法

1.ASTMF76-08(2020)：半导体材料电学特性标准测试规程

2.ISO14707:2015表面化学分析-辉光放电发射光谱法

3.GB/T1551-2009硅单晶电阻率测定方法

4.GB/T1552-2022硅单晶霍尔系数测试方法

5.IEC60749-25:2021半导体器件机械与气候试验方法

检测设备

1.Keithley4200A-SCS参数分析仪：支持DC-IV/CV/脉冲测试

2.Agilent4155C半导体分析仪：I-V/C-V曲线测量精度0.1%

3.LakeShoreCRX-VF低温探针台：温度控制范围4K-675K

4.BrukerD8ADVANCEX射线衍射仪：角度分辨率0.0001

5.HoribaLabRAMHREvolution拉曼光谱仪：空间分辨率0.5μm

6.OxfordInstrumentsMicrostatHe低温恒温器：磁场强度1T

7.KeysightB1500A器件分析仪：最大电压200V/电流1A

8.ThermoScientificESCALABXi+XPS系统：能量分辨率<0.45eV

9.JandelRM3000测试系统：四探针电阻率测量精度0.25%

10.VeecoDimensionIcon原子力显微镜：扫描精度0.1nm