反冲质子检测

检测项目

1.质子能量范围：0.5-20MeV（5%测量精度）

2.通量密度：10-10⁶cm⁻s⁻（动态范围≥4个量级）

3.能谱分辨率：≤3%FWHM（@5.48MeVα参考源）

4.角分布特性：0-180方位角（1定位精度）

5.时间响应特性：ns级时间分辨（配合飞行时间法测量）

检测范围

1.有机闪烁体材料：包括EJ-200/BC-408塑料闪烁体

2.半导体探测器：高纯锗（HPGe）及硅漂移探测器（SDD）

3.气体电离室：组织等效正比计数器（TEPC）

4.中子转换靶材：聚乙烯/含氢薄膜（厚度0.1-5mm）

5.辐射屏蔽材料：硼钢/含锂混凝土（热中子吸收率≥99%）

检测方法

1.ASTME265-15：中子辐射测量用反冲质子法标准规程

2.ISO8529-3：中子参考辐射场表征技术规范

3.GB/T14055.3-2018：中子测量仪校准方法

4.IEC61563-2001：辐射防护仪器能量响应测试

5.JJG852-2019：中子周围剂量当量仪检定规程

检测设备

1.ORTECGEM-FX8530HPGe探测器：40%相对效率，FWHM≤1.8keV

2.CAENDT5730数字化采集系统：14位ADC,500MS/s采样率

3.Saint-GobainBC-412塑料闪烁体：衰减时间2.1ns,光产额8200ph/MeV

4.BertholdLB6411中子剂量仪：0.1μSv/h-10mSv/h量程

5.AmptekXR-100SDD硅漂移探测器：25mm有效面积,FWHM≤140eV

6.CanberraNP100B中子预置放大器：增益1000可调

7.HamamatsuH11934-200光电倍增管：量子效率25%@420nm

8.TektronixMSO64B示波器：6GHz带宽,25GS/s采样率

9.PTWTW34001组织等效电离室：0.02-20MeV能量响应

10.VacuumschmelzeMuShieldμ合金：磁屏蔽效能≥60dB