检测项目
1.能带结构分析：测定导带底（CBM）与价带顶（VBM）能量值（精度0.05eV）
2.费米面测定：定位精度≤0.02eV
3.态密度分布：能量分辨率≤0.1eV
4.表面功函数测量：重复性误差＜0.03eV
5.载流子浓度测试：灵敏度110^16cm^-3
检测范围
1.半导体材料：硅基/III-V族化合物半导体
2.金属合金：过渡金属及其复合体系
3.二维材料：石墨烯/过渡金属硫化物
4.光电材料：钙钛矿/有机光伏材料
5.超导材料：铜氧化物/铁基超导体
检测方法
1.ASTME2108-16：X射线光电子能谱（XPS）表面分析
2.ISO18117:2009：俄歇电子能谱（AES）深度剖析
3.GB/T28894-2012：紫外光电子能谱（UPS）功函数测定
4.ISO21270:2004：扫描隧道谱（STS）局域态密度测量
5.GB/T35031-2018：角分辨光电子能谱（ARPES）三维能带测试
检测设备
1.X射线光电子能谱仪ThermoScientificK-Alpha+：配备单色化AlKα源（1486.6eV），空间分辨率3μm
2.紫外光电子能谱仪SPECSPHOIBOS150：HeI光源（21.2eV），能量分辨率＜15meV
3.扫描隧道显微镜BrukerDimensionIcon：电流灵敏度0.1pA，Z轴分辨率0.01
4.角分辨光电子能谱仪ScientaOmicronDA30L：角度分辨率0.1，探测效率＞10^4cps
5.俄歇电子能谱仪JEOLJAMP-9510F：束斑直径6nm，元素探测限0.1at%
6.低温强磁场系统OxfordInstrumentsSpectromagPT：温度范围1.5K-300K，磁场强度7T
7.原位加热样品台KurtJ.LeskerCMS-18：最高温度1300℃，真空度＜510^-8Torr
8.同步辐射光束线上海光源BL08U1A：光子能量范围20-1000eV，通量密度＞10^12phs/s