检测项目
1.绝缘电阻测试：DC500V-2500V电压下测量≥100MΩ的绝缘性能
2.正向导通压降：额定电流下测量0.7-1.5V的压降范围
3.反向恢复时间：采用双脉冲法测试≤100ns的动态特性
4.热阻特性分析：结温-壳温差值控制在0.1-0.5℃/W
5.浪涌电流耐受：10kA/10ms非重复性冲击测试
6.触发特性验证：门极触发电压1.5-3.0V/电流50-200mA
检测范围
1.晶闸管反并联模块（400V-6500V/100A-5000A）
2.整流桥堆组件（三相/单相全波结构）
3.IGBT反并联续流二极管模组
4.快速恢复二极管桥式电路
5.功率MOSFET桥臂模块
6.高压变频器用双单元封装器件
检测方法
1.ASTMF1241-2014半导体器件动态参数测试规范
2.IEC60747-6晶闸管静态特性测量方法
3.GB/T15291-2018半导体分立器件试验方法
4.ISO16750-2道路车辆电气环境条件试验
5.MIL-STD-750F军用半导体器件测试方法
6.GB/T2423.17电工电子产品盐雾试验方法
检测设备
1.KeysightB1505A功率器件分析仪：支持3000A/10kV动态参数测试
2.Chroma19032耐压测试仪：AC/DC5kV绝缘电阻测量系统
3.TektronixDPO7254示波器：4GHz带宽反向恢复时间分析
4.ThermoScientificT3Ster瞬态热阻测试系统
5.ESPECPL-3KFA温湿度循环试验箱
6.HIOKIPW3390功率分析仪：0.05%精度电能参数测量
7.FLIRA655sc红外热像仪：非接触式结温监测装置
8.AMETEKCTS1000浪涌电流发生器
9.Agilent4294A阻抗分析仪：门极电容特性测试
10.SchleifringSL30B大电流接触系统