检测项目
1.基极电流（Ib）：测量范围0.1μA-10mA，精度0.5%
2.集电极电流（Ic）：量程1μA-100mA，分辨率0.1nA
3.发射极电压（Ve）：测试范围0-30V，误差≤0.2%
4.基极-发射极电压（Vbe）：典型值0.6-0.7V（硅管），温漂补偿测试
5.集电极-发射极电压（Vce）：耐压测试最高100V，漏电流监测
检测范围
1.双极型晶体管（BJT）及场效应管（FET）
2.运算放大器集成电路
3.音频功率放大器模块
4.开关电源控制电路
5.射频前端低噪声放大器
检测方法
GB/T17573-1998《半导体器件分立器件测试方法》第4.3节静态特性测试
ASTMF1241-2015《晶体管直流参数测试标准规程》
IEC60747-2:2000《分立半导体器件测试规范》
GB/T4589.1-2006《半导体器件微电子器件试验方法》
JEDECJESD77D《功率晶体管直流参数测试指南》
检测设备
1.KeysightB1505A功率器件分析仪：支持1000V/1500A高压大电流测试
2.TektronixMSO58混合信号示波器：8通道16bit高精度采集系统
3.Keithley2636B源表：双通道精密DC参数测试模块
4.Fluke8846A数字万用表：6位分辨率直流测量
5.Chroma19032程控电源：多路隔离输出供电系统
6.Agilent4156C精密半导体分析仪：支持HBT/FET全参数扫描
7.GWInstekGOM-804万用表：四通道同步监测功能
8.HIOKIRM3545电阻计：μΩ级导通电阻测量
9.Rohde&SchwarzHMC8012数据采集器：长期稳定性监测系统
10.YokogawaWT1800功率分析仪：多相位动态特性关联分析