检测项目

1.反向击穿电压：测试范围0-500VDC，精度0.5%
2.截止频率：测量范围1MHz-40GHz，分辨率1kHz
3.噪声系数：测试频段2-18GHz，动态范围30dB
4.插入损耗：标称值≤3dB@10GHz，温度补偿0.1dB/℃
5.热阻特性：结温测试范围-55℃~+150℃，温控精度0.5℃

检测范围

1.砷化镓基微波混频器件
2.氮化镓高功率混频模块
3.硅锗合金超外差接收组件
4.陶瓷封装毫米波混频器
5.表面贴装微型混频单元

检测方法

1.ASTMF1249-20半导体器件热特性测试规范
2.IEC60749-27:2020高频参数测试通用方法
3.GB/T4586-2020半导体分立器件测试程序
4.MIL-STD-750F方法3015反向击穿电压测试
5.JESD22-A108F温度循环可靠性试验标准

检测设备

1.KeysightN5245BPNA-X矢量网络分析仪：10MHz-50GHzS参数测试
2.TektronixAWG5200任意波形发生器：16GS/s信号生成能力
3.R&SFSW67频谱分析仪：26.5GHz实时带宽分析
4.Chroma19032功率循环测试系统：1000A脉冲电流输出
5.ThermonicsT-2600C温控平台：-70℃~+200℃快速变温
6.AgilentB1505A功率器件分析仪：3000V/1000A高压测试
7.Fluke8588A参考级万用表：8.5位分辨率精度验证
8.ESPECSH-642湿热试验箱：95%RH湿度控制精度
9.KeysightN8975B噪声系数分析仪：26.5GHz噪声参数提取
10.OlympusMX63L金相显微镜：5000微观结构观测