检测项目
1.光刻胶灵敏度：曝光剂量阈值（10-50mJ/cm）与显影速率（0.5-3nm/s）
2.线宽均匀性：CD值（10-100nm）跨片波动≤1.5%
3.套刻误差：X/Y轴向对准偏差≤2nm（3σ）
4.缺陷密度：致命缺陷≤0.01个/cm（＞50nm尺寸）
5.表面粗糙度：LWR（LineWidthRoughness）≤1.2nmRMS
检测范围
1.193nmArF光刻胶及其衍生物
2.极紫外（EUV）反射式掩模版
3.硅基晶圆图形化结构（FinFET/GAA架构）
4.相移掩模（PSM）光学特性
5.抗反射涂层（BARC）膜厚均匀性
检测方法
ASTMF1811-14光刻胶显影速率测试规范
ISO14644-1洁净室颗粒物控制标准
GB/T30270-2013集成电路制造用掩模版缺陷检验方法
SEMIP35-1108套刻精度测量规程
IEC60749-26半导体器件机械应力测试
检测设备
1.KLA-TencorArcher500：套刻误差量测系统（量程50nm）
2.HitachiCG6300：临界尺寸扫描电镜（0.8nm分辨率）
3.BrukerContourElite：白光干涉三维形貌仪（0.1垂直分辨率）
4.NikoniNEXIVV12：激光干涉式表面轮廓仪
5.ZeissLSM900：共聚焦光学显微镜（365nm深紫外模块）
6.AppliedMaterialsVeritySEM4i：电子束缺陷检测系统
7.NovaMARS3：全自动膜厚测量仪（0.1精度）
8.ParkNX-Hybrid：原子力显微镜（亚纳米级粗糙度分析）
9.ThermoFisherHeliosG4UX：双束聚焦离子束系统
10.RudolphFEIII：自动椭偏仪（193nm波长光学常数测量）