漏极电导检测

检测项目

1.漏极电流（Idss）：测量范围0.1μA-100A，精度0.5%

2.阈值电压（Vth）：测试范围30V，分辨率1mV

3.跨导值（gfs）：量程0.01-100S，重复性误差≤0.3%

4.导通电阻（Rds(on)）：测量范围0.1mΩ-10kΩ，四线法测试

5.击穿电压（BVdss）：最大测试电压10kV，步进精度0.1%

检测范围

1.硅基MOSFET器件（平面型/沟槽栅结构）

2.碳化硅（SiC）功率模块

3.氮化镓（GaN）HEMT器件

4.IGBT模组（单管/复合封装）

5.超结结构功率器件

检测方法

ASTMF1241-22：场效应晶体管静态参数标准测试规程

ISO16700:2020：半导体器件电特性测量通用规范

GB/T4587-2021：双极型晶体管测试方法

GB/T17573-2021：半导体器件分立器件总规范

JEDECJESD24-10：功率MOSFET特性表征方法

检测设备

KeysightB1505A功率器件分析仪：支持10kV/1500A脉冲测试

TektronixKeithley4200A-SCS参数分析仪：亚微安级电流测量能力

Chroma19032功率器件测试系统：集成动态导通电阻测试模块

Agilent4156C精密半导体参数分析仪：温度特性测试专用接口

HiokiIM3590化学阻抗分析仪：高频跨导特性测量

Boonton7200高压探头系统：10kV级击穿电压测试组件

CascadeSummit12000探针台：晶圆级参数测试平台

ThermoStreamT-2600温度冲击系统：-65℃~+300℃温控环境仓

Fluke6105A高阻计：10^16Ω绝缘电阻测量模块

Rohde&SchwarzRT-ZVC03多通道探头组：同步采集栅漏极瞬态信号

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"漏极电导检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检检测技术研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。