检测项目
1.漏极电流（Idss）：测量范围0.1μA-100A，精度0.5%
2.阈值电压（Vth）：测试范围30V，分辨率1mV
3.跨导值（gfs）：量程0.01-100S，重复性误差≤0.3%
4.导通电阻（Rds(on)）：测量范围0.1mΩ-10kΩ，四线法测试
5.击穿电压（BVdss）：最大测试电压10kV，步进精度0.1%
检测范围
1.硅基MOSFET器件（平面型/沟槽栅结构）
2.碳化硅（SiC）功率模块
3.氮化镓（GaN）HEMT器件
4.IGBT模组（单管/复合封装）
5.超结结构功率器件
检测方法
ASTMF1241-22：场效应晶体管静态参数标准测试规程
ISO16700:2020：半导体器件电特性测量通用规范
GB/T4587-2021：双极型晶体管测试方法
GB/T17573-2021：半导体器件分立器件总规范
JEDECJESD24-10：功率MOSFET特性表征方法
检测设备
KeysightB1505A功率器件分析仪：支持10kV/1500A脉冲测试
TektronixKeithley4200A-SCS参数分析仪：亚微安级电流测量能力
Chroma19032功率器件测试系统：集成动态导通电阻测试模块
Agilent4156C精密半导体参数分析仪：温度特性测试专用接口
HiokiIM3590化学阻抗分析仪：高频跨导特性测量
Boonton7200高压探头系统：10kV级击穿电压测试组件
CascadeSummit12000探针台：晶圆级参数测试平台
ThermoStreamT-2600温度冲击系统：-65℃~+300℃温控环境仓
Fluke6105A高阻计：10^16Ω绝缘电阻测量模块
Rohde&SchwarzRT-ZVC03多通道探头组：同步采集栅漏极瞬态信号