检测项目

1.空穴密度分布：测量范围110⁴~110⁰cm⁻，精度3%
2.载流子迁移率：测试条件300-500K温区，分辨率0.1cm/(Vs)
3.能带偏移量：精度0.02eV，采用紫外光电子能谱校准
4.缺陷态密度：探测下限110cm⁻eV⁻
5.复合寿命：时间分辨率10ns~10ms

检测范围

1.硅基半导体材料（单晶硅/多晶硅）
2.III-V族化合物半导体（GaAs/InP）
3.钙钛矿光伏薄膜（MAPbI₃/CsPbBr₃）
4.二维过渡金属硫化物（MoS₂/WS₂）
5.有机半导体材料（P3HT/PCBM体系）

检测方法

1.ASTMF1529-22霍尔效应测试标准规程
2.ISO18516:2017表面光伏效应测量方法
3.GB/T26072-2010半导体材料载流子浓度测试方法
4.IEC62805-2:2020薄膜光伏器件缺陷表征规范
5.JISH0605:2021半导体晶片非接触电阻率测试

检测设备

1.Keithley4200A-SCS参数分析仪：四探针法电阻率与霍尔效应联测
2.ThermoScientificK-AlphaXPS系统：表面元素与能带结构分析
3.AgilentB1500A半导体分析仪：瞬态光电导衰减测试
4.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：纳米尺度载流子分布成像
5.HamamatsuC12132光电发射谱仪：深能级瞬态谱(DLTS)分析
6.OxfordInstrumentsOptistatDN₂低温恒温器：77-500K变温测试平台
7.KeysightE4990A阻抗分析仪：介电弛豫谱表征
8.HoribaLabRAMHREvolution显微拉曼系统：应力诱导能带偏移测量
9.SemilabWT-2000少子寿命测试仪：微波光电导衰减法
10.ParkSystemsNX20扫描探针显微镜：表面电位与载流子浓度映射