检测项目
直流电流放大系数（hFE）：测量范围0.1-1000，误差±2%
反向击穿电压（VCEO/VEBO）：测试电压0-2000V，漏电流阈值≤1μA
饱和压降（VCE(sat)）：测量精度±0.01V@1A-10A
反向漏电流（ICEO）：检测灵敏度0.1nA@25℃/125℃
结温特性（Tj）：-55℃~+175℃温控精度±0.5℃
检测范围
硅基NPN/PNP型三极管
锗材料低频功率管
高频微波三极管（fT≥5GHz）
大功率模块（IC≥50A）
复合达林顿晶体管
检测方法
GB/T 4587-1994《半导体分立器件和集成电路试验方法》
IEC 60747-2:2000《分立半导体器件-整流二极管》
JEDEC JESD22-A108F《温度循环试验》
MIL-STD-750-1《半导体器件试验方法》方法2021
GB/T 4937-2012《半导体器件机械和气候试验方法》
检测设备
Keysight B1505A功率器件分析仪：支持3000V/1500A脉冲测试
Tektronix Keithley 2450源表：0.1fA分辨率漏电流测试
Thermonics T-2600C温控箱：-70℃~+200℃快速变温
Agilent 4284A LCR表：20Hz-1MHz特征频率分析
ESPEC EHS-211M环境试验箱：复合应力加速寿命测试