检测项目
三价原子含量测定（检测范围：0.01ppm-10wt%，精度±0.5%）
配位结构分析（分辨率≤0.1nm，配位数误差±0.3）
氧化还原电位测定（量程-2.5V至+2.5V，灵敏度1mV）
晶体场分裂能计算（能量分辨率0.05eV）
杂质元素干扰检测（检出限0.005ppm，信噪比≥50:1）
检测范围
过渡金属合金材料（Fe-Cr-Al系、Ni-Co-Mn系等）
Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物（GaN、AlP、InSb等）
稀土氧化物催化剂（CeO₂、La₂O₃、Pr₆O₁₁等）
尖晶石结构陶瓷材料（MgAl₂O₄、FeCr₂O₄等）
化工原料（三氯化铁、硫酸铝、硝酸铬等）
检测方法
X射线光电子能谱法（XPS）：ISO 15472:2010，GB/T 19500-2017
穆斯堡尔谱分析法：ASTM E3061-17，GB/T 36082-2018
电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）：ISO 17294-2:2016，GB/T 39486-2020
循环伏安法（CV）：ASTM E2594-09(2020)，GB/T 39144-2020
扩展X射线吸收精细结构（EXAFS）：ISO 20814:2019
检测设备
Thermo Scientific K-Alpha+ XPS：配备单色化Al Kα源（1486.6eV），能量分辨率0.45eV
Bruker D8 ADVANCE XRD：Cu靶Kα辐射（λ=0.15406nm），2θ范围5°-140°
PerkinElmer NexION 2000 ICP-MS：质量范围2-290amu，检出限≤0.1ppt
Metrohm Autolab PGSTAT302N：电流范围±2A，电位分辨率10μV
JEOL JEM-ARM300F TEM：点分辨率0.08nm，STEM-HAADF探测器