检测项目

1.硼（B）含量测定：浓度范围0.1ppm-10%，检出限0.05ppm（ICP-OES）

2.硅（Si）纯度分析：99.999%-99.99999%（GD-MS），表面污染检测0.01μg/cm

3.锗（Ge）同位素比测定：⁸Ge/⁰Ge比值精度0.02%（MC-ICP-MS）

4.砷（As）形态分析：As(III)/As(V)分离度≥98%（HPLC-ICP-MS）

5.碲（Te）晶格缺陷检测：位错密度≤10/cm（XRD-TEM联用）

检测范围

1.半导体材料：硅晶圆、砷化镓基板、锗单晶衬底

2.合金材料：硼钢（B含量0.001%-0.003%）、锗基高温合金

3.化工产品：有机硅聚合物（Si含量≥99%）、碲化镉量子点

4.电子元件：硅基集成电路封装材料、砷化铟镓光电探测器

5.环保材料：含硼中子吸收板（B₄C-Al₂O₃复合材料）

检测方法

ASTME1479-16电感耦合等离子体原子发射光谱法测定硼含量

ISO18118:2015辉光放电质谱法分析高纯硅表面杂质

GB/T24583.3-2019钒钛磁铁矿中锗的测定-电感耦合等离子体质谱法

ASTMD6130-15石墨炉原子吸收法测定润滑油中砷含量

GB/T13747.27-2022锆及锆合金化学分析方法-碲量的测定-氢化物发生原子荧光光谱法

检测设备

1.ThermoFisheriCAPRQICP-MS：多元素同步检测（质量数范围3-290），分辨率0.3amu

2.PerkinElmerPinAAcle900TAAS：石墨炉温度3000℃，Zeeman背景校正系统

3.BrukerS8TIGERXRF：波长色散型，Si(Li)探测器能量分辨率<140eV

4.Agilent8900ICP-MS/MS：MS/MS模式消除质谱干扰，检出限达ppt级

5.ShimadzuEDX-7000XRF：50kV/1mA铑靶X射线管，可测B-U元素

6.HoribaGD-Profiler2：辉光放电深度剖析（溅射速率0.1-10μm/min）

7.RigakuSmartLabXRD：高分辨平行光束（CuKα,λ=1.5406），角度精度0.0001

8.JEOLJEM-ARM300FTEM：原子级分辨率（0.08nm），STEM模式元素面分布分析

9.Metrohm883IC系统：阴离子色谱柱AS18-4μm，电导检测器噪声<0.5nS/cm

10.MilestoneUltraWAVE微波消解仪：最高温度300℃，压力199bar全密闭消解